Пошуковий запит: (<.>U=В379$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7362
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots [Текст] / P. M. Martin, A. E. Belyaev [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.7-12
|
| 2. | Ж16425 Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices [Текст] / L. Daweritz, H. Grahn [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.45-49
|
| 3. | Ж26988 Auleytner J. Comprehensive Investigation of Geometric Disorder of GaAs Surfaces by Complementary Methods [Текст] 45: 2 // Укр. фіз. журн.-С.230-235
|
| 4. | Ж68850/фіз. Tomaka G. Controlling of the thermal stress in the multiple quantum wells using magnetophonon spectroscopy [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.132-137
|
| 5. | Ж16425 Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon [Текст] / T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.61-65
|
| 6. | Ж16425 Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.50-53
|
| 7. | Ж14388 Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions [Текст] 11: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.117-121
|
| 8. | Ж14161 Matzui L. Influence of the Temperature, Type and Concentration of Intercalant on Characteristics of Thermoexfoliated Graphite [Текст] 21: 11 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.83-86
|
| 9. | Ж16425 Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-14
|
| 10. | Ж16425 Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.78-83
|
| 11. | Ж16425 Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.54-58
|
| 12. | Ж16425 Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.25-30
|
| 13. | Stasyuk I. V. Microscopic model of phase transitions in DMAGaS and DMAAlS crystals [Текст]
|
| 14. | Ж26988 Shestopalov V. P. Morse critical points of the dispersion equations and evolution equations of a quasi homogeneous structure [Текст] 45: 6 // Укр. фіз. журн.-С.744-752
|
| 15. | Ж26988 Luzzi R. On Bogolyubov's principle of correlation weakening [Текст] 45: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1498-1504
|
| 16. | Ж14063 Semenov Yu. G. On the theory of carrier-induced ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors [Текст] 26: 12 // Физика низ. температур.-С.1197-1201
|
| 17. | Ж16425 Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures [Текст] / S. V. Svechnikov, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.13-17
|
| 18. | Ж14063 Fogel N. Ya. Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices [Текст] 25: 2 // Физика низ. температур.-С.168-171
|
| 19. | Ж16425 Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.31-34
|
| 20. | Ж26988 Beletskii N. N. Surface magnetoplasma waves in semiconductor structures [Текст] 43: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1416-1424
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка