Наведено сучасні методи розрахунку розсіяння світла несферичними частинками й ансамблями малих еліпсоїдальних частинок. Розглянуто особливості взаємодії світла з малими частинками діелектриків, металів і напівпровідників за умов, коли переважає поглинання. Проаналізовано особливості мультипольних збуджень у фрактальних агрегатах. Значну увагу приділено нелінійним ефектам у квантово-розмірних структурах, що характеризуються збільшенням оптичної нелінійності. Охарактеризовано вплив поляризаційної взаємодії носіїв заряду з поверхнею мікрочастинки й оточенням.

Обоснованы возможность и целесообразность использования динамического рассеяния рентгеновских лучей в области длины волн непрерывного спектра, где наблюдаются явления аномальной дисперсии, для количественного анализа структурного состояния реальных кристаллов. Проанализированы результаты исследования рассеяния рентгеновских лучей совершенными кристаллами в области аномальной дисперсии, в частности, уникальной ситуации равенства нулю действительной части коэффициентов фурье-поляризуемости. Рассмотрены особенности определения статистического фактора Дебая - Валлера и коэффициента экстинкции при диффузном рассеянии рентгеновских лучей для структурных рефлексов и параметра нестехиометричности реальных бинарных кристаллов для сверхструктурных отражений при анализе зависимостей интегральной отражающей способности от толщины кристалла и длины волны (энергии). Описан комплекс неразрушающих методов определения структурных и композиционных характеристик, определяемых с высокой степенью достоверности с помощью однокристального спектрометра.

Изложены результаты микроскопической теории пространственной дисперсии света в молекулярных кристаллах и алмазоподобных структурах в области частот экситонных переходов. Использование квазимолекулярной модели позволило применить для описания электронных возбуждений в алмазоподобном полупроводнике методику, разработанную для молекулярных кристаллов. Выполнено численное моделирование экситонных спектров и получены законы дисперсии экситонных поляритонов в несовершенных молекулярных кристаллах. Рассмотрены особенности генерации экситонных поляритонов полем движущейся в кристаллических системах бета-частицей. Представлены результаты изучения рассеяния электромагнитного излучения тонким кристаллическим слоем. Проведено численное моделирование параметров обогащения изотопной водородной смеси по одному из изотопов, которое позволяет определить оптимальный режим сепарации H - D - T смеси через каскад тонких металлических мембран.

Освещены актуальные проблемы оптики низкоразмерных конденсированных систем, в частности, нанопленок, трехслойных наносистем, квазинульмерных систем. Рассмотрены вопросы, связанные с теоретическими исследованиями спектров квазичастиц (электронов, экситонов, дырок), межзонного поглощения света, поглощения и рассеяния света на одночастичных состояниях носителей заряда в квазинульмерных системах. Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований по переносу энергии экситонами Френкеля в молекулярных нанопленках, слоистых наносистемах, макромолекулярных полимерных системах.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень дифракції Х-променів складними багатошаровими структурами (з квантовими ямами, точками) на підставі узагальнення наукових праць вітчизняних і зарубіжних учених, які займаються даною проблемою. Уперше в Україні встановлено значні можливості рентгеновської дифрактометрії в процесі дослідження напівпровідникових квантово-розмірних структур, зокрема, надгратки, одно- та багатошарових структур з квантовими точками (КТ) і ямами. Розкрито засади теорії дифракції випромінювань у структурах з КТ і дротами в одно- та багатошарових системах.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований дифракции Х-лучей сложными многослойными структурами (с квантовыми ямами, точками) на основе обобщения научных трудов отечественных и зарубежных ученых, связанных с данной проблемой. Впервые в Украине установлены значительные возможности рентгеновской дифрактометрии при исследовании полупроводниковых квантово-размерных структур, в частности, надрешетки, одно- и многослойных структур с квантовыми точками (КТ) и ямами. Раскрыты основы теории дифракции рассеяния в структурах с КТ и проволокой в одно- и многослойных системах.