Пошуковий запит: (<.>U=В372.7$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 240
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | РА301952 Левченко О. М.Харк. держ. ун-т. Трансформація радіаційних парамагнітних центрів та оптичні ефекти у кристалах KDP і DKDP [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.03.- URL: /ard/1998/
|
| 2. | Ж26988 Гринік Е. У. Дослідження з радіаційної фізики в Інституті ядерних досліджень НАН України [Текст] 43: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1590-1596
|
| 3. | Ж63435 Нац. науч. центр "Харьк. физ.-техн. ин-т". Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение [Текст]
|
| 4. | Ж22412/а Baranskii P. I. Transport phenomena in n-Hg1-xCdxTe (x = 0,215) irradiated by fast neutrons [] // Доповіді Національної академії наук України, 1998,N № 8.-С.88-91
|
| 5. | Ж41115 Koz'ma A. A. Radiation stimulated effects in films and surface layers [] // Functional Materials, 1999. т.Т. 6,N № 2.-С.262-266
|
| 6. | РА307275 Бритавська О. П.Одес. держ. політехн. ун-т. Підпорогові механізми радіаційного дефектоутворення на поверхні іонних кристалів [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01
|
| 7. | Ж41115 Shpilinskaya L. N. Transformations of molecular anions in irradiated cesium iodide crystals [] // Functional Materials, 1999. т.Т. 6,N № 2.-С.364-369
|
| 8. | Ж14161 Селищев П. А. Влияние внешних флуктуаций на образование структуры плотности радиационных дефектов [Текст] 21: 9 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.11-15
|
| 9. | Ж14161 Селищев П. А. Автоколебания температуры и плотности дефектов в кристаллах при флуктуирующих условиях облучения [Текст] 21: 7 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.38-41
|
| 10. | Ж26988 Degod Y. Ya. A Model of the Spatial Distribution Kinetics for Electron Excitations in X-Ray Track [Текст] 44: 4 // Укр. фіз. журн.-С.482-486
|
| 11. | Ж26988 Коваленко В. Ф. Зміна полів зародкоутворення магнетика локальним оптичним опромінюванням [Текст] 44: 5 // Укр. фіз. журн.-С.590-593
|
| 12. | Ж16425 Ignatovych M. Radioluminescent, thermoluminescent and dosimetric properties of X-ray phosphors [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 2.-С.240-243
|
| 13. | Ж16425 Kudin A. P. Radiation-induced changes in infra-red spectrum of black zinc diphosphide monocrystals [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 2.-С.161-164
|
| 14. | Ж26988 Boldyshev V. F. Photon polarization in radiation emitted from relativistic charged particles under channeling in crystal [Текст] 45: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1488-1490
|
| 15. | Ж41115 Kostyuk B. M. Thermo- and X-ray-stimulated electrical processes in CdI2 crystals [] // Functional Materials, 2000. т.Т. 7,N № 2.-С.220-223
|
| 16. | РА309036 Комащенко О. В.НАН України. Ін-т хімії поверхні. Вплив стану міжфазної поверхні на властивості гетероструктури сульфід міді - сполука А2В6 при збудженні ультрафіолетовим та бета-випромінюванням [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18
|
| 17. | Ж26988 Ніщенко М. М. Позитронна та фотолюмінесцентна спектроскопія монокристала LiF, опроміненого позитронами [Текст] 45: 6 // Укр. фіз. журн.-С.679-683
|
| 18. | РА311133 Тихоненков І. Е.Нац. наук. центр "Харк. фіз.-техн. ін-т". Квантові механізми напівканалювання та супутнього електромагнітного випромінювання електронів [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.20
|
| 19. | Ж70173 Чорній З. П. FA-центри в кристалах BaJ2 [] // Наукові записки, 2000,N № 2.-С.142-145
|
| 20. | Ж26988 Купряшкін В. Т. Про механізм випромінювання електронів близьконульової енергії з поверхні радіоактивних джерел або мішеней при їх бомбардуванні зарядженими частинками [Текст] 46: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1239-1242
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
