Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.24

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + Л624.5-106.34

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Поліметинові барвники

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У межах наближення ефективних мас для електронної та моделі діелектричного континууму - для фононної систем запропоновано метод теоретичного дослідження температурної залежності енергії електрона в плоскій напівпровідниковій наноплівці шаруватого напівпровідника, уміщеній в органічне діелектричне середовище. Конкретні розрахунки виконано на прикладі дийодиду свинцю, як ямного матеріалу, та сополімеру етилен-метакрилової кислоти (E-MAA) - як бар'єрного. Показано, що збільшення температури наносистеми понад 50 - 75 K спричиняє зсув основного стану електрона у бік менших енергій. Величина зсуву - монотонно зростаюча функція температури, швидкість зростання якої залежить від товщини наноплівки.

Проведено дослідження кінетики фотолюмінесценції пресованих композитних зразків на основі нанокремнію в матриці аерогелю кремнезему. Проаналізовано еволюцію релаксаційних процесів під час витримки зразків за атмосферних умов, запропоновано можливі механізми, що пояснюють зміни в рекомбінаційних процесах під час окиснення зразків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В372.1

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої та виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого та чистого дроту з GaAs за низьких температур і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс у порівнянні з випадком масивного тривимірного зразка.

Досліджено люмінесцентні властивості гетероструктур InGaAs/GaAs з нанорозмірними об'єктами InGaAs. Досліджено форму спектрів фотолюмінесценції в діапазоні температур 10 - 290 К. Розраховано електронний спектр гетеросистем та енергій міжзонних переходів для нанооб'єктів InGaAs різного розміру та компонентного складу. Показано, що форма спектрів фотолюмінесценції визначається гаусовим розподілом енергій зонного-зонного переходу за участю основних станів зони провідності та валентної зони. Фізичною причину спостережуваного розкиду енергій є дисперсія розмірів, неоднорідності компонентного складу та деформацій в ансамблі нанооб'єктів InGaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В372.15

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Електронна мікроскопія

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Формування термоелементів за допомогою методу пресування порошкоподібного термоелектричного матеріалу із фракціями мікро- та нанорозмірів спричиняє утворення значної кількості внутрішніх меж для додаткового розсіювання фононів. Однак, для покращання термоелектричних властивостей матеріалу потрібно не лише зменшити теплопровідність, але й підвищити коефіцієнт Зеєбека. Для цього запропоновано навколо зерен термоелектричного PbTe розмірами (0,5 - 1,0 мкм) формувати струмопровідні наноканали. Запропоновано технологію формування таких наноканалів шляхом введення частинок колоїдного срібла. Встановлено, що введення наночастинок Ag (розмірами ~ 50 нм), не тільки зменшує теплопровідність, але й сприяє підвищенню коефіцієнта Зеєбека через додаткове дроселювання електронів на бар'єрах, сформованих наночастинками срібла. Одержано низькі значення коефіцієнта теплопровідності (0,06 - 0,2) Вт / м · К), що спричинено внеском розсіювання середньохвильових фононів. Абсолютне значення коефіцієнта Зеєбека при цьому зростає до 340 мкВ/K.

Наведено результати дослідження гігантського магнітоопору у плівкових системах Ag/масив НЧ феритів/Ag і графен/масив НЧ феритів/графен, які було сформовано за допомогою методів спін-коатингу або методу Ленгмюра - Блоджетт. У системах першого типу під час термообробки величина МО змінюється у межах 3 - 20 %, а у системах другого типу складає 3 %. Установлено, що оптимальна товщина плівки Ag, за якої МО = 2 %, має величину 5 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,021 + Ж619

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Одержання плівок

Шифр НБУВ: РА418024 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментального дослідження спектрів поглинання та фотолюмінесценції наночастинок ZnCoO, одержаних за методом імпульсної лазерної абляції твердотільних мішеней у рідкому середовищі. Структурні дослідження проводились з використанням рентгенівської дифракції та сканувальної електронної мікроскопії (СЕМ). Одержані дані свідчать про ріст нанокристалів в гексагональній вюрцитній структурі з переважною орієнтацією (002) без утворення вторинних фаз. Результати СЕМ демонструють одержання складних, квіткоподібних утворень наночастинок ZnCoO. В спектрах поглинання колоїдних наночастинок виявлено короткохвильовий зсув краю фундаментального поглинання, зумовлений квантово-розмірним ефектом. Зростання концентрації кобальту призводить до довгохвильового зсуву краю фундаментального поглинання, що зумовлено проявом s, p - d обмінної взаємодії зонних носіїв із локалізованими спінами магнітної компоненти. В спектрах фотолюмінесценції, виміряних за кімнатної температури, спостерігаються чотири смуги випромінювання, зумовлені екситонними переходами на краю фундаментального поглинання та наявними домішками і дефектами.

Запропоновано метод розрахунку інтенсивності локального поля навколо нескінченно довгої наносмужки на поверхні зі збудженим поверхневим плазмоном. Розрахунок проводиться за допомогою методу функцій Гріна в межах концепції ефективної сприйнятливості, використовуючи наближення ближнього поля. Розглянуто метод аналітичного розрахунку ефективної сприйнятливості двовимірної наносмужки. Одержано розподіл локального поля навколо кремнієвої наносмужки з шириною та висотою 100 нм. Одержаний розподіл несиметричний і дуже неоднорідний.

This article introduces an innovative synthesis of doped nanocrystals and aims at expanding the fundamental understanding of charge transport in these doped nanocrystal films. The list of semiconductor nanocrystals that can be doped is large, and if one combines that with available dopants, an even larger set of materials with interesting properties and applications can be generated. In addition to doping, another promising route to increase conductivity in nanocrystal films is to use nanocrystals with high ionic conductivities. This work also examines this possibility by studying new phases of mixed ionic and electronic conductors at the nanoscale. Such a versatile approach may open new pathways for interesting fundamental research, and also lay the foundation for the creation of novel materials with important application.

Предложен оригинальный метод получения встроенных нанотрубок оксида индия в пористую поверхность InP. В потоке атомарного кислорода проведен отжиг пористых образцов InP, полученных с помощью метода электрохимического травления. В результате отжига внутренняя поверхность стенок каждой поры покрывалась кислородом по всей ее длине от основания (столбика фосфида индия) до поверхности образца, образуя кислородосодержащие нанотрубки, повторяющие форму пор. При помощи метода энергодисперсионного анализа рентгеновских лучей (EDAX) был изучен химический состав поверхности полученных образцов. Также с помощью метода рентгеновской дифракции изучалась структура полученных образцов.

С помощью адаптированного для широкомасштабного производства метода импульсного катодного электроосаждения из водного раствора без использования поверхностно-активных модификаторов роста и последующих термообработок впервые получены пригодные для оптоэлектроники и нанофотоники одномерные наноструктурированные массивы оксида цинка (1D ZnO). Интенсивной фотолюминесценцией (ФЛ) в ультрафиолетовой (УФ) области подтверждены низкая плотность дефектов и высокое оптическое качество материала. Острый высокий пик УФ фотолюминесценции наноструктурированного массива ZnO, электроосажденного на кремниевую пластину, свидетельствует о его эффективной излучательной рекомбинации. УФ ФЛ объясняется выявленными для данных массивов 1D ZnO слабо выраженной кристаллической текстурой (0001), небольшими микронапряжениями и остаточными напряжениями сжатия.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.271.26

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив кількості ортофосфорної кислоти на формування структури нанопористих вуглецевих матеріалів (НВМ), одержаних із сировини рослинного походження. За результатами вольтамперометрії визначено питомі ємнісні характеристики НВМ, а також встановлено умови його синтезу з оптимальними енергетичними параметрами. Показано, що зменшення кількості лігноцелюлозних речовин в об'ємі прекурсору внаслідок карбонізації, призводить до спаду питомої ємності НВМ приблизно на 6 - 20 %.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: РА421810 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.25

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ