Пошуковий запит: (<.>U=В371.212$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 296
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж26618 Рувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2014. т.Т. 15,N № 4.-С.689-692
|
2. | Ж22412/а Савкіна Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [] // Доповіді Національної академії наук України, 2015,N № 7.-С.70-78
|
3. | Ж26618 Бережанський Є. І. Нанотекстурування кремнію методом каталітичного хімічного травлення [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 1.-С.140-144
|
4. | Ж26618 Бушкова В. С. Синтез нанорозмірних порошків зі структурою перовськіту [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 1.-С.181-184
|
5. | Ж28079/рад.фіз.Ел. Nakhodkin N. Special joints of grain boundaries in nanosilicon films with equiaxed and fibrous structures [] // Вісник Київського національного університету. Серія Радіофізика та електроніка, 2014,N Вип. 1/2.-С.83-86
|
6. | ВА797301 Витер Р. В. Неравновесные процессы в сенсорных наноструктурах [Текст] : монография / [Р. В. Витер и др.] ; под общ. ред. проф. В. А. Смынтыны ; Одес. нац. ун-т им. И. И. Мечникова
|
7. | Ж100480 Karachevtseva L. Influence of local electric fields on the photoluminescence of CdS nanocrystals on the oxidized macroporous silicon surface [] // Хімія, фізика та технологія поверхні, 2015. т.Т. 6,N № 4.-С.489-497
|
8. | Ж41279 Peleshchak R. M. Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation [] // Condensed Matter Physics, 2015. т.Т. 18,N № 4.-С.43801
|
9. | Ж14063 Borisenko D. N. Nanotube-based source of charges for experiments with solid helium at low temperatures [] // Физика низких температур, 2015. т.Т. 41,N № 7.-С.729-732
|
10. | Ж24835 Makhanets O. M. Exciton spectra in multi-shell open semiconductor nanotube [] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2015. т.Т. 12,N № 4.-С.70-80
|
11. | Ж26618 Столярчук І. Д. Магнітооптичні властивості наночастинок магніторозчиненого напівпровідника CdMnTe, отриманих фізичними методами [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 2.-С.297-301
|
12. | Ж26618 Зауличний Я. В. Вплив механоактивації сумішей нанопорошків SiO2/Al2O3 на їх морфологію та енергетичний розподіл валентних електронів [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 3.-С.501-505
|
13. | Ж16425 Vlaskina S. I. External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2015. т.Т. 18,N № 4.-С.448-451
|
14. | Ж26988 Смірнов О. Б. Дослідження морфології шарів p-CdHgTe структурованих ковзним опроміненням іонами срібла [] // Український фізичний журнал, 2015. т.Т. 60,N № 10.-С.1056-1062
|
15. | Ж28079/фіз.-мат. Горячко А. М. Нова атомарна модель наноструктурованої поверхні Si(001)-c(8x8) [] // Вісник Київського національного університету. Серія Фізико-математичні науки, 2014,N Вип. 4.-С.259-262
|
16. | Ж28079/фіз.-мат. Карлаш А. Ю. Еволюція кінетики фотолюмінесценції в композитних зразках arSiOx/nc-Si в процесі старіння [] // Вісник Київського національного університету. Серія Фізико-математичні науки, 2014,N Вип. 4.-С.269-272
|
17. | Ж26618 Миронюк І. Ф. Морфологія та струмопровідні властивості композиційного матеріалу SiO2 - C [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 4.-С.700-705
|
18. | Ж14161 Остафійчук Б. К. Мессбауерівські дослідження нанорозмірних фракцій шпінелей LiMn2-xFexO4, одержаних золь-гель-методом [] // Металлофизика и новейшие технологии, 2015. т.Т. 37,N № 12.-С.1713-1724
|
19. | Ж68643 Lysenko V. S. The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures [] // Поверхня, 2015,N Вип. 7.-С.285-296
|
20. | Ж26988 Остафійчук Б. К. Синтез та магнітна мікроструктура наночастинок магнієвих феритів, заміщених цинком [] // Український фізичний журнал, 2015. т.Т. 60,N № 12.-С.1236-1244
|
| |