Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>TJ=SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS - 2000 - Т. 3 - № 2<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 31
Представлено документи з 1 до 20
...

      
Категорія:    
1.

Ignatovych M. 
Radioluminescent, thermoluminescent and dosimetric properties of X-ray phosphors / M. Ignatovych, A. Kelemen, N. Otvas, A. Peto, V. Ogenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 240-243. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7 + В374.99

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Salo V. I. 
Rapidly grown KDP crystals / V. I. Salo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 200-202. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + З86-531

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Min'ko V. I. 
Recording of rainbow holograms using Assub2/subSesub3/sub amorphous layers / V. I. Min'ko, I. Z. Indutnyy, P. F. Romanenko, A. A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 251-253. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.

Розвинуто простий метод запису рельєфно-фазової райдужної голограми-оригіналу. На обох стадіях запису (одержання звичайної пропускаючої голограми та наступного запису рельєфно-фазової голограми-оригіналу, яка зчитується в білому світлі) використано один халькогенідний неорганічной фоторезист з тією ж одностадійною післяекспозиційною обробкою. Це спрощує і здешевлює процес виготовлення голограми-оригіналу.


Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Masselink W. T. 
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects / W. T. Masselink, H. Kissel, U. Mueller, C. Walther, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, G. Yu. Rud'ko, M. Ya. Valakh, V. Malyarchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 126-137. - Бібліогр.: 44 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Masselink W. T. 
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures / W. T. Masselink, H. Kissel, U. Mueller, C. Walther, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, M. P. Lisitsa, S. R. Lavoric, Z. Ya. Zhuchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 121-125. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
6.

Baschenko S. M. 
Multiwave laser source for simultaneous sounding ozone and critically related to ozone chemicals / S. M. Baschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 244-246. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.1-17 + Г461.39

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Zagoruiko Yu. A. 
Physical properties of ZnSe - MgSe, ZnSe - CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering / Yu. A. Zagoruiko, O. A. Fedorenko, N. O. Kovalenko, M. A. Rom, P. V. Mateychenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 165-169. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З996-03 + В372.35

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Zorenko Yu. 
Scintillation characteristics of the single crystalline CdWOsub4/sub and Bisub4/subGesub3/sub Osub12/sub compounds doped with mercury-like ions / Yu. Zorenko, L. Limarenko, I. Konstankevych, M. Pashkovsky, Z. Moroz, I. Solsky, B. Grinev, V. Nekrasov, Yu. Borodenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 207-212. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Shpilinskaya L. N. 
The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI / L. N. Shpilinskaya, B. G. Zaslavsky, L. V. Kovaleva, S. I. Vasetsky, A. M. Kudin, A. I. Mitichkin, T. A. Charkina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 178-180. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Hunda B. M. 
Thermostimulated luminescence and the temperature dependence of X-ray luminescence of the Lisub2/subBsub4/sub Osub7/sub single crystals / B. M. Hunda, P. P. Puga, A. M. Solomon, V. M. Holovey // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 227-232. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В374.99

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
11.

Asmontas S. 
Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation / S. Asmontas, D. Seliuta, E. Sirmulis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 138-143. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З86-530.12

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Zagoruiko Yu. A. 
Strong thermostable interference coatings for IR optical elements / Yu. A. Zagoruiko, O. A. Fedorenko, N. O. Kovalenko, P. V. Mateychenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 247-250. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З996-5-04

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Ryzhikov V. D. 
Scintillators based on zinc selenide and ticor for detection of charged particles / V. D. Ryzhikov, E. A. Danshin, N. G. Starzhinski, E. A. Losseva, V. V. Chernikov, L. A. Litvinov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 233-236. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
14.

Volkov V. G. 
Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te) / V. G. Volkov, V. P. Gavrilyuk, L. P. Gal'chinetskii, B. V. Grinyov, K. A. Katrunov, V. D. Ryzhikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 191-194. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

Отримано високоефективний сцинтиляційний детектор на основі матеріалу ZnSe(Te) у сполученні з кремнієвим фотодіодом для реєстрації beta- і низькоенергетичного gamma-випромінювання. Як сцинтилятор використано конгломерат із дрібнокристалічних зерен ZnSe(Te). Шляхом моделювання процесу світлозбирання визначено оптимальні форми зерен, відбиваючі покриття та склад дисперсного середовища. Запропоновано форми світловодів для найбільш ефективної передачі світла від сцинтилятора великої площі до фотоприймача у лічильному і спектрометричному режимах вимірів.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
15.

Trubitsyn Yu. V. 
Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices / Yu. V. Trubitsyn, S. V. Zverev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 195-199. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + З849-047

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
16.

Dashevsky Z. 
Functionally graded PbTe-based compound for thermoelectric applications / Z. Dashevsky, M. P. Dariel, S. Shusterman // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 181-184. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
17.

Senchishin V. G. 
Manufacture and study of new polystyrene scintillators / V. G. Senchishin, V. L. Vasilchuk, A. Yu. Borisenko, V. N. Lebedev, A. F. Adadurov, N. P. Khlapova, V. D. Titskaja, V. S. Koba, L. E. Pelipyagina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 223-226. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

Проведено дослідження основних оптичних властивостей і радіаційної стійкості нового полістирольного сцинтилятора (ПС) UPS98GC. Сцинтилятор UPS98GC порівняно зі сцинтилятором SCSN-81, що виготовляється Kuraray Co. й активно використовується у фізиці високих енергій. Проведено дослідження залежності характеристик ПС від загальної накопиченої дози і потужності дози опромінення. У випадку малої потужності дози, близької до тієї, що спостерігається у процесі експлуатації, UPS98G не поступається SCSN-81.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
18.

Kiv A. E. 
Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, V. N. Soloviev, T. I. Maximova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 157-160. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.

Для вивчення мікроструктури поверхневих шарів кремнію та релаксаційних процесів, індукованих пучками іонів низької енергії, проведено комп'ютерне моделювання методом молекулярної динаміки з потенціалом Штілінгера-Вебера. За допомогою вдосконаленої схеми розрахунку для моделювання алмазоподібних структур, виявлено нові особливості релаксованої поверхні (001) кремнію. Встановлено, що релаксована мікроструктура чистої поверхні (001) Si характеризується обірваними зв'язками в перших трьох приповерхневих шарах і негексагональними багатокутниками. Утворення димерів спостережено не лише в першому шарі. Виявлено нові просторові конфігурації димерів. З'ясовано деякі умови, що спричиняють ефект радіаційно-стимульованої релаксації поверхневих шарів під дією іонного бомбардування в області енергій поблизу порогу пружних атомних зміщень у кремнії.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
19.

Anokhov S. P. 
New interpretation of the boundary diffracted wave origin / S. P. Anokhov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 254-257. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Запропоновано важливе поліпшення юнгівської моделі дифракції. Нова інтерпретація базується на твердженні про існування процесу переносу енергії, спрямованого від залишкового поля до граничної хвилі, що формально може бути враховано введенням джерела для цієї хвилі на межі геометричної тіні. Цим надається законність використанню параболічного рівняння у вигляді стандартного рівняння дифузії - теплопровідності. За подібним підходом, було отримано компактне аналітичне представлення цієї хвилі для випадку дифракції плоскої хвилі на краю півплощини, яке повністю узгоджується з точним розв'язком Зоммерфельда та відомими експериментальними фактами.


Індекс рубрикатора НБУВ: В312.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
20.

Blonsky I. V. 
Induced polar materials for intense radiation monitoring / I. V. Blonsky, V. F. Kosorotov, L. V. Shchedrina, L. V. Levash // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 170-173. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Теоретичні та експериментальні дослідження просторового розподілу електричного потенціалу в тонких кристалічних пластинках селеніду цинку і кварцу є частиною загального підходу щодо при вивчення індукованих неоднорідним нагрівом полярних станів у широкому класі матеріалів, в тому числі в тих, що не належать до полярних кристалографічних класів. Розроблено оригінальні принципи побудови нового класу піроелектричних сенсорів прохідної потужності випромінювання з максимально досяжною верхньою границею динамічного діапазону для моніторингу інтенсивного випромінювання в широкій ІЧ області.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського