Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Kononchuk G. L. Polarization unstabilities in a quasi-isotropic He-Ne laser in axial magnetic field [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.36-41
2.Ж16425 Movchan S. Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.84-87
3.Ж16425 Belyaev A. A. Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.98-101
4.Ж16425 Indutnyi I. Z. Relaxation of photodarkening in SiO - As2(S,Se)3 composite layers [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.59-62
5.Ж16425 Stronski A. V. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.63-68
6.Ж16425 Boyko O. V. Iodine-stabilized He-Ne laser pumped by transverse rf-discharge [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.133-141
7.Ж16425 Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.76-79
8.Ж16425 Sachenko A. V. On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.42-44
9.Ж16425 Mazur Yu. I. Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg1-x-yCdxMnyTe [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.35-41
10.Ж16425 Vitusevich S. A. Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.7-10
11.Ж16425 Snopok B. A. Thin films of organic molecular crystals (OMC) possessing type B lattice: spatial structure of dibenzotetraazaannulene film is related to its thickness [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.69-72
12.Ж16425 Serdega B. K Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.153-156
13.Ж16425 Kryshtab T. G. TiB2/GaAs and Au - TiB2/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.73-77
14.Ж16425 Sizov F. F. IR sensor readout devices with source input circuits [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.102-110
15.Ж16425 Ishchenko S. ENDOR study of irradiated tooth enamel [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.84-92
16.Ж16425 Kulish N. R. Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.15-27
17.Ж16425 Mitin V. F. Resistance thermometers based on the germanium films [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.115-123
18.Ж16425 Litovchenko P. G. Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.90-91
19.Ж16425 Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.56-61
20.Ж16425 Rengevych O. V. Separate determination of thickness and optical parameters by surface plasmon resonance: accuracy consideration [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.28-35
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського