Наведено результати математичного моделювання напівпровідникових сенсорів газу, температури та сонячних елементів, що грунтуються на класичних уявленнях про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхнях напівпровідникових бінарних сполук типу оксдів металів. Розглянуто питання аналізу та синтезу відповідних технічних об'єктів на базі отриманих математичних моделей. Висвітлено феноменологічну модель системи газ - напівпровідник. Проаналізовано статичну характеристику напівпровідникових сенсорів газу. Викладено методики розрахунку основних електрофізичних характеристик матеріалу чутливого елемента. Визначено інформативні параметри масопереносу в системі плоскі пластини - одновимірне наближення. Зроблено системний структурний аналіз лінії вимірювального перетворення інформативного параметра вхідного сигналу; аналіз і синтез сенсорів у наближенні концепції Хауффе.