Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Vakulenko O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
1.Ж16425 Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.50-53
2.Ж16425 Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.88-89
3.Ж26988 Vakulenko O. V. Degradation of chlorophyll luminescence in plants [Текст] / O. V. Vakulenko, O. O. Grygorieva, O. I. Dacenko 57: 2 // Укр. фіз. журн.-С.256-259
4.Ж16425 Vakulenko O. V. The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 4.-С.453-455
5.Ж16425 Vakulenko O. V. Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 3.-С.159-162
6.Ж16425 Vakulenko O. V. Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2003. т.Т. 6,N № 2.-С.192-196
7.Ж16425 Artem'jeva O. O. Amphoteric center of luminescence in CdS [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 2.-С.58-60
8.Ж16425 Nikolenko A. S. Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2006. т.Т. 9,N № 1.-С.32-35
9.Ж16425 Vakulenko O. V. Calculation of the metal reflectivity with taking polarization into consideration [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 1.-С.55-59
10.Ж16425 Lysiuk V. O. Influence of ion implantation on the near-surface structure of thin Ni and Pd films on lithium niobate and lithium tantalate [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 2.-С.76-80
11.Ж16425 Lysiuk V. O. Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV <$E bold roman Ar sup +> ions [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2010. т.Т. 13,N № 1.-С.103-109
12.Ж41115 Vakulenko O. V. IR luminescence of ZnSe-based scintillators [] // Functional Materials, 2004. т.Т. 11,N № 1.-С.90-95
13.Ж41115 Vakulenko O. V. Porous silicon aging after etching in acids [] // Functional Materials, 2003. т.Т. 10,N № 3.-С.511-513
14.Ж41115 Makara V. A. Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment [] // Functional Materials, 2005. т.Т. 12,N № 1.-С.78-82
15.Ж41115 Gamolya O. P. Effect of self-absorption on the band-to-band photoluminescence spectrum [] // Functional Materials, 2005. т.Т. 12,N № 1.-С.114-116
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського