Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
Пошуковий запит: (<.>A=Korotyeyev V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.Ж16425 Syngayivska G. I. Monte Carlo simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electric fields [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 4.-С.54-59
2.Ж16425 Korotyeyev V. V. Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2009. т.Т. 12,N № 4.-С.328-338
3.Ж16425 Korotyeyev V. V. Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013. т.Т. 16,N № 1.-С.18-26Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка
4.Ж16425 Korotyeyev V. V. Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2015. т.Т. 18,N № 1.-С.1-11
5.Ж16425 Syngayivska G. I. Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2015. т.Т. 18,N № 1.-С.79-85
6.Ж16425 Korotyeyev V. V. Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2018. т.Т. 21,N № 3.-С.294-306
7.Ж16425 Syngayivska G. I. Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2018. т.Т. 21,N № 4.-С.325-335
8.Ж16425 Korotyeyev V. V. Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2019. т.Т. 22,N № 2.-С.237-251
9.Ж16425 Lyaschuk Yu. M. Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range [] / Yu. M. Lyaschuk, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2022. т.Т. 25,N № 2.-С.121-136
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського