 Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
| Формат представлення знайдених документів: | | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Hebali M$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
| 1. | Ж100357 Djerioui M. A graphical method to study electrostatic potentials of 25 nm channel length DG SOI MOSFETs [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2018. т.Т. 10,N № 4.-С.04027-1-04027-4
| | 2. | Ж100357 Hebali M. BSIM3v3 characterization and simulation of MOS Si1-xGex transistors with 130 nm submicron technology [] // J. of Nano- and Electronic Physics, 2019. т.Т. 11,N № 4.-С.04021-1-04021-6
| | 3. | Ж100357 Berbara D. An ultra-low power, high SNM, high speed and high temperature of 6T-SRAM cell in 3C - SiC 130 nm CMOS technology [] / D. Berbara, M. Abboun Abid [et al.] // J. of Nano- and Electronic Physics, 2020. т.Т. 12,N № 4.-С.04024-1-04024-4
| | 4. | Ж100357 Hebali M. Characteristics and electrical parameters of silicon nanowires (SiNWs) solar nanocells [] / M. Hebali, M. Bennaoum [et al.] // J. of Nano- and Electronic Physics, 2020. т.Т. 12,N № 6.-С.06033-1-06033-4
| | 5. | Ж100357 Djerioui M. Impact of device sizing on electrical properties of DG-SOI-MOSFET using Octave software [] / M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid // J. of Nano- and Electronic Physics, 2022. т.Т. 14,N № 5.-С.05025-1-05025-4
| | 6. | Ж100357 Hebali M. Improving the electrical properties of ITO/Si/GaAs/Si/ITO solar cell by changing the GaAs layer position [] / M. Hebali, M. Bennaoum [et al.] // J. of Nano- and Electronic Physics, 2023. т.Т. 15,N № 1.-С.01023-1-01023-4
|
|
|
Простий пошук