Пошуковий запит: (<.>A=Chkhartishvili L$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
| 1. | Ж26988 Pagava T. A. Oscillatory dependence of electron Hall mobility on the annealing temperature for irradiated silicon [Текст] 49: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1006-1008
|
| 2. | Ж26988 Pagava T. A. Influence of the charge state of nonequilibrium vacancies on the formation and annealing kinetics of radiation-induced defects in n-Si crystals [Текст] 50: 5 // Укр. фіз. журн.-С.477-482
|
| 3. | Ж26988 Pagava T. A. Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals [] // Український фізичний журнал, 2013. т.Т. 58,N № 8.-С.773-779
|
| 4. | Ж24320 Chkhartishvili L. Estimation of atomic charges in boron nitrides [] // Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 2015,N № 3/5.-С.50-57
|
| 5. | Ж24320 Pagava T. Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon [] // Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 2015,N № 4/5.-С.52-58
|
| 6. | Ж100357 Chkhartishvili L. Polyhedral model of carbon nanotubes analytically describing their geometry [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2017. т.Т. 9,N № 1.-С.01005-1-01005-6
|
Простий пошук
Віртуальна довідка