Розглянуто питання вимірювання температури розплаву кремнію в установках з вирощування кремнію методом Чохральського. Обговорено умови впливу градієнта температур на структурно-чутливі властивості злитків кремнію . Запропоновано новий високоточний метод вимірювання температури розплаву кремнію безконтактним способом. Визначено його метрологічні характеристики.

  Скачати повний текст

Дисторсія та мікродефекти оптики вносять істотні погрішності (до 5 - 10 %) у результати вимірів за допомогою телевізійного методу. Запропоновано триступеневий метод оцінки величини внесених викривлень. Сутність методу полягає в обробці викривленого зображення міри, побудови на базі його фрагмента зображення, близького до ідеального, та порівняння двох зображень. Результатом використання методу є матриця векторів викривлень. Використовуючи одержану матрицю, можна відновити неспотворені положення контрольних точок зображення.

Відзначено доцільність використання в синтезі систем управління процесом вирощування монокристалів кремнію статистичних моделей передатних функцій. Запропоновано для моделювання залежності відхилень діаметра кристалу від відхилень швидкості витягування та температури розплаву використовувати двохвходову об'єднану модель "передатна функція - шум". Описано процедуру ідентифікації параметрів розглянутої моделі на основі використання вибіркових оцінок відповідних автоковаріаційних і взаємних коваріаційних функцій. Модель шуму запропоновано ідентифікувати за відновленою послідовністю. Відзначено можливість узагальнення запропонованого підходу на випадок, коли кількість входів більше двох.

Определены факторы, влияющие на возникновение микродефектов в бездислокационных слитках кремния. Рассмотрены вопросы математического моделирования термо- и гидродинамических процессов в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Освещена спецификация прогнозирующей модели для системы оперативного управления производством монокристаллов кремния. Описана методика определения неравномерности содержания кислорода в слитках кремния большого диаметра. Предложены новые сверхвысокочастотные методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проанализировано влияние динамики управления нагревателем на структурное совершенство кристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского. Изложен системный подход к построению регрессионной модели по временным рядам. Рассмотрены принципы построения интеллектуальных сетей пьезоэлектрических датчиков деформации, система анализа и идентификации изображений дистанционного зондирования с применением вейвлет-преобразования. Изучены ресурсосберегающие способы переработки отходов твердых сплавов карбид вольфрама-кобальта в растворах фосфорной кислоты, экстракции вольфрама из вольфрамовых руд и концентратов.

Розглянуто призначення та можливості текстового процесора Word, зокрема, режими перегляду та редагування (обробку тексту, настроювання панелі інструментов), ефективні способи форматування (шрифту, абзацу), засоби підвищення швидкості роботи з документом (автотекст, автозаміну, автоформат, бібліотеку стилей), роботу з таблицями. Проаналізовано графічні можливості Word: створення та обробку графічних об'єктів, вставку зображень у документи. Розкрито суть основних понять інтерфейс-редактора Visual Basic.

Рассмотрены назначение и возможности тестового процессора Word, в частности, режимы просмотра и редактирования (обработка текста, настраивание панели инструментов), эффективные способы форматирования (шрифта, абзаца), средства повышения скорости работы с документом (автотекст, автозамена, автоформат, библиотека стилей), работа с таблицами. Проанализированы графические возможности Word: создание и обработка графических объектов, вставка изображений в документы. Раскрыта сущность основных понятий интерфейс-редактора Visual Basic.

Описана технология контроля качества формообразования критических поверхностей коммутационных волоконно-оптических компонентов. Освещены факторы, определяющие радиальный градиент температуры при выращивании бездефектных слитков кремния. Проанализировано влияние рентгеновского, гамма- и нейтронного облучения на фоточувствительные характеристики электронно-дырочных структур. Рассмотрены высокоточный метод контроля скорости выращивания слитков кремния, способ автоматизированного контроля температурных процессов при выращивании слитков монокристаллов кремния, вопросы моделирования температурных градиентов в системе расплав - кристалл в процессе выращивания монокристаллов кремния.

Рассмотрены вопросы контроля технологических параметров выращивания слитков кремния большого диаметра, метод контроля диаметра слитка и мениска в процессе роста, контроля уровня расплава, основанный на анализе видеоизображения, получаемого с телевизионной камеры, а также метод контроля температуры расплава. Приведены оценки адекватности стохастических моделей передаточных функций системы управления процессом выращивания монокристаллов кремния, надежности оптоэлектронных систем с многоэлементными светодиодными шкальными индикаторами. Освещены вопросы идентификации параметров математической модели примеси кислорода в расплаве кремния.

Освещены особенности применения и приведены характеристики сцинтилляторов для рентгеновской интроскопии. Приведены результаты исследования детекторов на основе сцинтиллятора и фотоприемного устройства для цифровой радиографии, однородности свойств неорганических сцинтилляторов. Изучено влияние адсорбции газов на фотовольтаические эффекты в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении. Описаны электретные свойства кристаллов силикосилленита, рассмотрены вопросы диэлектрической релаксации в его легированных кристаллах, восстановления сигнала спектрометра на базе широкополосного перестраиваемого светофильтра методом обратной задачи. Приведены спектрометрические характеристики сцинтилляторов ZnSe, легированных кадмием. Проанализированы процесс теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского с применением математического моделирования, особенности получения и свойства монокристаллов кремния, выращенных в атмосфере азота.

Досліджено та визначено параметри процесу шліфовки кремнієвих структур і причини виникнення структурних порушень поверхневого шару. Науково обгрунтовано основні елементи та концепцію застосування системи автоматичного керування станком САШ-420М, що забезпечує оптимальний режим шліфовки кремнієвих структур.

Зазначено, що зміна теплових умов вирощування (ТУВ) монокристалів кремнію під час переходу на діаметр вирощуваних монокристалів 200 і 300 мм призводить до появи свірлевих дефектів (СД). Однією з причин утворення цих дефектів є фонові домішки, зокрема кисень. Розглянуто питання побудови математичної моделі, що пов'язує ТУВ з утворенням СД, викликаних наявністю кисню в монокристалі кремнію. Розроблено метод визначення щільності ростових мікродефектів, що утворюють "свірл-дефекти".

Індекс рубрикатора НБУВ: Л245

Рубрики:

Телур та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто питання моделювання процесу утворення мікродефектів під час вирощування зливків кремнію діаметром 200 мм, а також оптимізації процесу зонної очистки телуру від домішки атомів кисню. Висвітлено фізико-технічні аспекти підвищення радіаційної стійкості виробів електронної техніки. Проаналізовано систему ідентифікації мікродефектів зливків кремнію за допомогою телевізійного методу, інформаційну модель тракту передачі енергії випромінювання розплаву кремнію на пірометричний приймач. Описано методи реалізації взаємодії програмних модулів, реалізованих мовою JAVA з функціональним програмним забезпеченням. Розкрито вплив інформаційних технологій на реінжиніринг бізнес-процесів підприємств.

Рассмотрены вопросы моделирования процесса образования микродефектов в условиях выращивания слитков кремния диаметром 200 мм, а также вопросы оптимизации процесса зонной очистки теллура от примеси атомов кислорода. Освещены физико-технические аспекты повышения радиационной устойчивости изделий электронной техники. Проанализированы система идентификации микродефектов слитков кремния с помощью телевизионного метода, информационная модель тракта передачи энергии излучения расплава кремния на пирометрический приемник. Представлены методы реализации взаимодействия программных модулей, реализованных на языке JAVA с функциональным программным обеспечением. Изучено влияние информационных технологий на реинжиниринг бизнес-процессов предприятий.

Розглянуто питання оптимізації процесу дистиляційного очищення телуру від домішкового кисню, зонного очищення компонентів та синтезу телуриду кадмію у багатозонній печі. Проаналізовано транспортні властивості носіїв заряду у радіаційно чутливих монокристалах GaAs. Вивчено вплив інертного газу на концентрацію домішок кисню в кремнії. Описано методи вимірювання термопружних напруг в зливках кремнію великого діаметра, модель автоматизованої системи оперативно-диспетчерського управління кар'єрним автотранспортом.

Рассмотрены вопросы оптимизации процесса дистиляционной очистки теллура от примесей кислорода, зонной очистки компонентов и синтеза теллурида кадмия в многозонной печи. Проанализированы транспортные свойства носителей заряда в радиационно чувствительных монокристаллах GaAs. Изучено влияние инертного газа на концентрацию примесей кислорода в кремнии. Представлены методы измерения термоупругих напряжений в слитках кремния большого диаметра, модель автоматизированной системы оперативно-диспетчерского управления карьерным автотранспортом.

Проанализировано влияние отклонения исходного состава расплава от стехиометрии на концентрацию фоновых примесей в кристаллах полуизолирующего нелигированного GaAs, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией в камере низкого давления. Рассмотрены проблемы определения кинематических параметров шлифования кремниевых пластин на станке САШ-420М. Предложены процедура оптимизации параметров шлифования пластин, алгоритм управления параметрами процесса шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Освещены особенности термического разделения различных эмульсионных сред с учетом установленных закономерностей фазовых переходов и гидродинамики вихревого течения.

Вивчено показник стехіометричності кристалів GaAs з дисплейними методами хемометрики. Описано емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні, покритої алмазоподібною плівкою. Проаналізовано вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм. Розглянуто питання застосування лазерних технологій для виготовлення нанорозмірних структур, формування впорядкованих масивів квантових точок телуриду свинцю за умов пружнопластичної деформації поверхні фториду барію (ІІІ), самоорганізації наноструктур на поверхні шаруватого кристала GaSe, вирощування масивів квантових точок у процесі рідиннофазної епітаксії. Висвітлено метод підвищення точності виміру товщини тонких плівок, визначено зміну їх складу та структури під час напилення з капілярних випарників.

Изучен показатель стехиометричности кристаллов GaAs с дисплейными методами хемометрики. Освещены эмиссионные свойства развитой кремниевой поверхности, покрытой алмазообразной пленкой. Проанализировано влияние тепловых условий на содержание кислорода и распределение плотности микродефектов в процессе выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм. Рассмотрены вопросы применения лазерных технологий для изготовления наноразмерных структур, формирования упорядоченных массивов квантовых точек телурида свинца в условиях упругопластической деформации поверхности фторида бария (ІІІ), самоорганизации наноструктур на поверхности слоевого кристалла GaSe, выращивания массивов квантовых точек в процессе жидкостнофазовой эпитаксии. Представлен метод повышения точности измерения толщины тонких пленок, определено изменение их состава и структуры при напылении с капиллярных испарителей.

Изложены вопросы технологии и производства электронной техники, информационных технологий и систем, вычислительной техники, инженерной механики, материаловедения и экологической безопасности. Рассмотрены закономерности формирования структурного совершенства в монокристаллах GaAs, по спектрам комбинационного рассеяния света проанализировано влияние дефектов структуры на фоторефрактивные свойства номинальночистых монокристаллов ниобота лития конгруэнтного и стехиометрического состава. Определены причины образования газовых раковин в кремниевых изделиях, полученных методом литья. Описан незагрязняющий метод уменьшения конвекции Марангони (тормокапиллярных потоков) для зонной плавки агрессивных материалов в условиях космической микрогравитации. Освещены особенности моделирования функциональной структуры информационной системы, установлены возможности повышения точности измерения флуктуаций скорости и идентификации турбулентности гидродинамических потоков с помощью гибридных биморфных пьезопреобразователей и комплексных амплитудно-фазовых анализаторов корреляционного типа.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1

Рубрики:

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsC13-H2. Проаналізовано вплив водню на якість литих кремнієвих виробів. Розглянуто питання розробки неруйнуючого способу визначення неоднорідності фотоелектричних властивостей напівпровідникових з'єднань CdxHg1-xTe, алгоритмізації нелінійно-динамічного підходу до прогнозування часових рядів. Висвітлено природу переходів в задачах підвищення ефективності генерацій в лазерах на gGaAS, синтез програмно-апаратного комплексу багатофункціонального діагностування теплових режимів роботи силових електродвигунів.

Описаны электрические свойства эпитексиальных слоев GaAs, полученных в условиях низкой температуры в системе Ga-AsC13-H2. Проанализировано влияние водорода на качество литых кремниевых изделий. Рассмотрены вопросы разработки неразрушающего способа определения неоднородности фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe, алгоритмизации нелинейно-динамического подхода к прогнозированию временных рядов. Освещены природа переходов в задачах повышения эффективности генераций в лазерах gGaAS, синтез программно-аппаратного комплекса многофункционального диагностирования тепловых режимов работы силовых электродвигателей.

Проаналізовано технологічні ефекти цільового впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових матеріалів і приладів, вплив теплових умов на монокристалічний кремній, що використовується в перетворювачах інфрачервоного випромінювання. Розглянуто енергостатичний метод визначення технічного стану цифрових пристроїв. Висвітлено особливості алгоритмів цифрової обробки сигналів в адаптивних системах захисту від шумових перешкод, методи об'єднання окремих критеріїв у процесі оптимізації систем управління телекомунікаційними мережами.

Проанализированы технологические эффекты целевого влияния на электрофизические параметры полупроводниковых материалов и приборов, влияние тепловых условий на монокристаллический кремний, используемый в преобразователях инфракрасного излучения. Рассмотрен энергостатический метод определения технического состояния цифровых устройств. Освещены особенности алгоритмов цифровой обработки сигналов в адаптивных системах защиты от шумовых преград, методы объединения отдельных критериев в процессе оптимизации систем управления телекоммуникационными сетями.