Розглянуто методи отримання двомірних інтегральних рівнянь для діелектричного хвилеводу з довільним прозорим середовищем у прямокутному екрані з застосуванням функції Гріна прямокутного хвилеводу. Отримано рівняння без контурних інтегралів з сильною сингулярністю ядер, а також ті, що одержуються з них інтегруванням за частинами (застосуванням формул Гріна) рівняння зі зниженою сингулярністю ядер. Наведено приклади аналізу структур діелектричних хвилеводів із застосуванням кінцевих елементів.

Рассмотрены методы получения двумерных интегральных уравнений для диэлектрического волновода с произвольной прозрачной средой в прямоугольном экране с использованием функции Грина прямоугольного волновода. Получены уравнения без контурных интегралов с сильной сингулярностью ядер, а также получающиеся из них интегрированием по частям (применением формул Грина) уравнения с пониженной сингулярностью ядер. Приведены примеры анализа структур диэлектрических волноводов с использованием конечных элементов.

The methods of construction of two-dimensional integral equations for dielectric waveguides with arbitrary filling media using three-dimensional Green's function of rectangular waveguide have been considered. The two-dimensional integral equations without contour integrals with strong (nonintegrable) singularities in the its kernels have been obtained. Also the equations with reduced singularities have been introduced using the Green's formulas. The numerical results for dielectric waveguides are presented.

Рассмотрены вопросы контроля технологических параметров выращивания слитков кремния большого диаметра, метод контроля диаметра слитка и мениска в процессе роста, контроля уровня расплава, основанный на анализе видеоизображения, получаемого с телевизионной камеры, а также метод контроля температуры расплава. Приведены оценки адекватности стохастических моделей передаточных функций системы управления процессом выращивания монокристаллов кремния, надежности оптоэлектронных систем с многоэлементными светодиодными шкальными индикаторами. Освещены вопросы идентификации параметров математической модели примеси кислорода в расплаве кремния.

Проанализировано влияние отклонения исходного состава расплава от стехиометрии на концентрацию фоновых примесей в кристаллах полуизолирующего нелигированного GaAs, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией в камере низкого давления. Рассмотрены проблемы определения кинематических параметров шлифования кремниевых пластин на станке САШ-420М. Предложены процедура оптимизации параметров шлифования пластин, алгоритм управления параметрами процесса шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Освещены особенности термического разделения различных эмульсионных сред с учетом установленных закономерностей фазовых переходов и гидродинамики вихревого течения.

Розглянуто питання моделювання процесу утворення мікродефектів під час вирощування зливків кремнію діаметром 200 мм, а також оптимізації процесу зонної очистки телуру від домішки атомів кисню. Висвітлено фізико-технічні аспекти підвищення радіаційної стійкості виробів електронної техніки. Проаналізовано систему ідентифікації мікродефектів зливків кремнію за допомогою телевізійного методу, інформаційну модель тракту передачі енергії випромінювання розплаву кремнію на пірометричний приймач. Описано методи реалізації взаємодії програмних модулів, реалізованих мовою JAVA з функціональним програмним забезпеченням. Розкрито вплив інформаційних технологій на реінжиніринг бізнес-процесів підприємств.

Рассмотрены вопросы моделирования процесса образования микродефектов в условиях выращивания слитков кремния диаметром 200 мм, а также вопросы оптимизации процесса зонной очистки теллура от примеси атомов кислорода. Освещены физико-технические аспекты повышения радиационной устойчивости изделий электронной техники. Проанализированы система идентификации микродефектов слитков кремния с помощью телевизионного метода, информационная модель тракта передачи энергии излучения расплава кремния на пирометрический приемник. Представлены методы реализации взаимодействия программных модулей, реализованных на языке JAVA с функциональным программным обеспечением. Изучено влияние информационных технологий на реинжиниринг бизнес-процессов предприятий.

Висвітлено теоретичні основи управління витратами як складовою комплексної системи менеджменту підприємств і організацій за умов ринкової економіки. Наведено характеристику витрат за сучасних умов господарювання та їх класифікацію. Розкрито суть і особливості планування, нормування, прогнозування витрат і калькулювання собівартості як найважливіших складових елементів системи управління витратами. Описано сучасні способи контролю за формуванням собівартості продукції.

Освещены теоретические основы управления расходами как составной части комплексной системы менеджмента предприятий и организаций в условиях рыночной экономики. Приведена характеристика расходов в современных условиях хозяйствования, представлена их классификация. Раскрыты сущность и особенности планирования, нормирования, прогнозирования расходов и калькулирования себестоимости как важнейших составных элементов системы управления расходами. Описаны современные способы контроля за формированием себестоимости продукции.

Висвітлено основні засади та принципи виборів народних депутатів України, поняття загального виборчого права, виборчого процесу, його суб'єктів. Особливу увагу приділено питанням процедури утворення виборчих округів і виборчих комісій, визначення їх системи та статусу. Наведено детальну характеристику порядку формування виборчих комісій. Визначено загальний порядок висування кандидатів у депутати, утворення виборчих блоків, реєстрації кандидатів у депутати в багатомандатному та в одномандатних виборчих округах, відмови в реєстрації та скасування рішення про реєстрацію кандидатів у депутати. Розглянуто питання проведення передвиборної агітації, вдосконалення її форм і засобів, використання друкованих і електронних (аудіовізуальних) засобів інформації, обмежень щодо ведення передвиборної агітації.

Висвітлено методику ведення управлінського обліку основних ресурсів, виробничих запасів, трудових ресурсів, нематеріальних активів, господарчих процесів і результатів постачальницько-заготівельної, виробничої, фінансово-збутової та організаційної діяльності на підприємствах різних галузей. Детально проаналізовано передумови поділу бухгалтерського обліку на фінансовий та управлінський, їх суть і відмінності. Розглянуто галузеві особливості управлінського обліку витрат і калькулювання собівартості продукції (робіт, послуг) основного виробництва на підприємствах.

Проведено дослідженя результати яких дали змогу враховувати найбільш важливі вимоги споживачів до художньо-композиційного рішення, вибору та насиченості кольорів, а також стилю одягу та конструктивно-декоративних елементів.

Результаты проведенных исследований дали возможность учесть наиболее важные требования потребителей к художественно-композиционному решению, цветовому решению, насыщенности цветовой гаммы, а также относительно стиля одежды и конструктивно-декоративных элементов.

The outcomes of the carried outresearches have enabled to take into account the most important demands of customers to an art and composite solution, colour score, saturation colour, and also style of clothes both constructive and dingbats.

Розглянуто призначення та можливості текстового процесора Word, зокрема, режими перегляду та редагування (обробку тексту, настроювання панелі інструментов), ефективні способи форматування (шрифту, абзацу), засоби підвищення швидкості роботи з документом (автотекст, автозаміну, автоформат, бібліотеку стилей), роботу з таблицями. Проаналізовано графічні можливості Word: створення та обробку графічних об'єктів, вставку зображень у документи. Розкрито суть основних понять інтерфейс-редактора Visual Basic.

Рассмотрены назначение и возможности тестового процессора Word, в частности, режимы просмотра и редактирования (обработка текста, настраивание панели инструментов), эффективные способы форматирования (шрифта, абзаца), средства повышения скорости работы с документом (автотекст, автозамена, автоформат, библиотека стилей), работа с таблицами. Проанализированы графические возможности Word: создание и обработка графических объектов, вставка изображений в документы. Раскрыта сущность основных понятий интерфейс-редактора Visual Basic.

Описана технология контроля качества формообразования критических поверхностей коммутационных волоконно-оптических компонентов. Освещены факторы, определяющие радиальный градиент температуры при выращивании бездефектных слитков кремния. Проанализировано влияние рентгеновского, гамма- и нейтронного облучения на фоточувствительные характеристики электронно-дырочных структур. Рассмотрены высокоточный метод контроля скорости выращивания слитков кремния, способ автоматизированного контроля температурных процессов при выращивании слитков монокристаллов кремния, вопросы моделирования температурных градиентов в системе расплав - кристалл в процессе выращивания монокристаллов кремния.

Індекс рубрикатора НБУВ: У049(4Укр) + У9(4Укр)23

Рубрики:

Економічна географія окремих країн (економіко-географічне країнознавство)

Економіка окремих країн і частин світу

Шифр НБУВ: Ж69299 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Освещены особенности применения и приведены характеристики сцинтилляторов для рентгеновской интроскопии. Приведены результаты исследования детекторов на основе сцинтиллятора и фотоприемного устройства для цифровой радиографии, однородности свойств неорганических сцинтилляторов. Изучено влияние адсорбции газов на фотовольтаические эффекты в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении. Описаны электретные свойства кристаллов силикосилленита, рассмотрены вопросы диэлектрической релаксации в его легированных кристаллах, восстановления сигнала спектрометра на базе широкополосного перестраиваемого светофильтра методом обратной задачи. Приведены спектрометрические характеристики сцинтилляторов ZnSe, легированных кадмием. Проанализированы процесс теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского с применением математического моделирования, особенности получения и свойства монокристаллов кремния, выращенных в атмосфере азота.

Определены факторы, влияющие на возникновение микродефектов в бездислокационных слитках кремния. Рассмотрены вопросы математического моделирования термо- и гидродинамических процессов в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Освещена спецификация прогнозирующей модели для системы оперативного управления производством монокристаллов кремния. Описана методика определения неравномерности содержания кислорода в слитках кремния большого диаметра. Предложены новые сверхвысокочастотные методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проанализировано влияние динамики управления нагревателем на структурное совершенство кристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского. Изложен системный подход к построению регрессионной модели по временным рядам. Рассмотрены принципы построения интеллектуальных сетей пьезоэлектрических датчиков деформации, система анализа и идентификации изображений дистанционного зондирования с применением вейвлет-преобразования. Изучены ресурсосберегающие способы переработки отходов твердых сплавов карбид вольфрама-кобальта в растворах фосфорной кислоты, экстракции вольфрама из вольфрамовых руд и концентратов.

Викладено фізичні основи механіки, молекулярної фізики та термодинаміки. Розглянуто закони збереження як наслідок фундаментальних властивостей простору та часу з урахуванням релятивістських рухів, а також перший, другий та третій закони термодинаміки. Наведено відомості з теорії імовірностей, розраховано середні значення відповідних випадкових величин, визначено середню та середньоквадратичну швидкості, середню кінетичну енергію молекул, частоту їх ударів, основне рівняння кінетичної теорії газів. Описано функції стану термодинамічних систем, зокрема ентропії, розкрито її зв'язок з термодинамічною імовірністю, проаналізовано від'ємні абсолютні температури.

Изложены физические основы механики, молекулярной физики и термодинамики. Рассмотрены законы сохранения как следствие фундаментальных свойств пространства и времени с учётом релятивистских движений, а также первый, второй и третий законы термодинамики. Приведены сведения по теории вероятностей, рассчитаны средние значения соответственных случайных величин, определены средняя и среднеквадратическая скорости, средняя кинетическая энергия молекул, частота их ударов, основное уравнение кинетической теории газов. Описаны функции состояния термодинамических систем, в частности энтропии, раскрыта её связь с термодинамической вероятностью, проанализированы отрицательные абсолютные температуры.

Розглянуто питання добору організаційних форм, методів і засобів проведення виховної роботи у школі та професійно-технічних навчальних закладах вчителями та майстрами виробничого навчання. Проаналізовано закони та закономірності виховання, змістовий компонент виховного процесу, а також виховні функції соціального середовища.

Рассмотрены вопросы подбора организационных форм, методов и средств проведения воспитательной работы в школе и профессионально-технических учебных заведениях учителями и мастерами производственного обучения. Проанализированы законы и закономерности воспитания, содержательный компонент воспитательного процесса, а также воспитательные функции социальной среды.

Описано сегрегаційні процеси в багатошарових тонких плівках. Розглянуто питання формування плівок силіциду платини на поверхні кремнію зі структурно-домішковими дефектами. Проаналізовано вплив телуру на гальваномагнітні властивості вісмуту, механізми реакцій дефектів домішок перехідних металів у кремнії. Висвітлено кінетику процесу конверсії тетрахлориду кремнію. Наведено технологічні вимоги до сплавів металів, використовуваних для виробництва робочих органів машин, що працюють в газових середовищах і за високих температур.

Описаны сегрегационные процессы в многослоевых тонких пленках. Рассмотрены вопросы формирования пленок силицида платины на поверхности кремния со структурно-примесными дефектами. Проанализированы влияние телура на гальваномагнитные свойства висмута, механизмы реакций дефектов примесей переходных металлов в кремнии. Освещена кинетика процесса конверсии тетрахлорида кремния. Приведены технологические требования к сплавам металлов, используемых для производства рабочих органов машин, работающих в газовых средах и при высоких температурах.

Розглянуто питання оптимізації процесу дистиляційного очищення телуру від домішкового кисню, зонного очищення компонентів та синтезу телуриду кадмію у багатозонній печі. Проаналізовано транспортні властивості носіїв заряду у радіаційно чутливих монокристалах GaAs. Вивчено вплив інертного газу на концентрацію домішок кисню в кремнії. Описано методи вимірювання термопружних напруг в зливках кремнію великого діаметра, модель автоматизованої системи оперативно-диспетчерського управління кар'єрним автотранспортом.

Рассмотрены вопросы оптимизации процесса дистиляционной очистки теллура от примесей кислорода, зонной очистки компонентов и синтеза теллурида кадмия в многозонной печи. Проанализированы транспортные свойства носителей заряда в радиационно чувствительных монокристаллах GaAs. Изучено влияние инертного газа на концентрацию примесей кислорода в кремнии. Представлены методы измерения термоупругих напряжений в слитках кремния большого диаметра, модель автоматизированной системы оперативно-диспетчерского управления карьерным автотранспортом.

Изложены вопросы технологии и производства электронной техники, информационных технологий и систем, вычислительной техники, инженерной механики, материаловедения и экологической безопасности. Рассмотрены закономерности формирования структурного совершенства в монокристаллах GaAs, по спектрам комбинационного рассеяния света проанализировано влияние дефектов структуры на фоторефрактивные свойства номинальночистых монокристаллов ниобота лития конгруэнтного и стехиометрического состава. Определены причины образования газовых раковин в кремниевых изделиях, полученных методом литья. Описан незагрязняющий метод уменьшения конвекции Марангони (тормокапиллярных потоков) для зонной плавки агрессивных материалов в условиях космической микрогравитации. Освещены особенности моделирования функциональной структуры информационной системы, установлены возможности повышения точности измерения флуктуаций скорости и идентификации турбулентности гидродинамических потоков с помощью гибридных биморфных пьезопреобразователей и комплексных амплитудно-фазовых анализаторов корреляционного типа.

Вивчено показник стехіометричності кристалів GaAs з дисплейними методами хемометрики. Описано емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні, покритої алмазоподібною плівкою. Проаналізовано вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм. Розглянуто питання застосування лазерних технологій для виготовлення нанорозмірних структур, формування впорядкованих масивів квантових точок телуриду свинцю за умов пружнопластичної деформації поверхні фториду барію (ІІІ), самоорганізації наноструктур на поверхні шаруватого кристала GaSe, вирощування масивів квантових точок у процесі рідиннофазної епітаксії. Висвітлено метод підвищення точності виміру товщини тонких плівок, визначено зміну їх складу та структури під час напилення з капілярних випарників.

Изучен показатель стехиометричности кристаллов GaAs с дисплейными методами хемометрики. Освещены эмиссионные свойства развитой кремниевой поверхности, покрытой алмазообразной пленкой. Проанализировано влияние тепловых условий на содержание кислорода и распределение плотности микродефектов в процессе выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм. Рассмотрены вопросы применения лазерных технологий для изготовления наноразмерных структур, формирования упорядоченных массивов квантовых точек телурида свинца в условиях упругопластической деформации поверхности фторида бария (ІІІ), самоорганизации наноструктур на поверхности слоевого кристалла GaSe, выращивания массивов квантовых точек в процессе жидкостнофазовой эпитаксии. Представлен метод повышения точности измерения толщины тонких пленок, определено изменение их состава и структуры при напылении с капиллярных испарителей.

Проаналізовано технологічні ефекти цільового впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових матеріалів і приладів, вплив теплових умов на монокристалічний кремній, що використовується в перетворювачах інфрачервоного випромінювання. Розглянуто енергостатичний метод визначення технічного стану цифрових пристроїв. Висвітлено особливості алгоритмів цифрової обробки сигналів в адаптивних системах захисту від шумових перешкод, методи об'єднання окремих критеріїв у процесі оптимізації систем управління телекомунікаційними мережами.

Проанализированы технологические эффекты целевого влияния на электрофизические параметры полупроводниковых материалов и приборов, влияние тепловых условий на монокристаллический кремний, используемый в преобразователях инфракрасного излучения. Рассмотрен энергостатический метод определения технического состояния цифровых устройств. Освещены особенности алгоритмов цифровой обработки сигналов в адаптивных системах защиты от шумовых преград, методы объединения отдельных критериев в процессе оптимизации систем управления телекоммуникационными сетями.