Досліджено політику "просування демократії" та дискурс про демократію та права людини як елементи структури ідеологічної легітимації формально-демократичного режиму за умов пізнього капіталізму. Формування політики "просування демократії" пов'язане із трансформацією глобального історичного блоку наприкінці 1970-х pp., яка позначилася неоліберальною реструктуризацією та демократизацією багатьох суспільств "третього світу". Починаючи зі створення Національного Фонду Демократії, американські еліти намагалися перебудовувати свою зовнішню політику в бік більшої ваги гегемоніальних та ідеологічних механізмів впливу на процеси демократизації в "третьому світі", які б відповідали потребам легітимації як всередині західних суспільств, так і в країнах "третього світу". Формування політики "просування демократії"' супроводжувалося активним розвитком дискурсу про демократію та права людини, який базується на процедурному баченні демократії, "негативній" концепції прав людини та проголошенні демократії умовою розвитку. Демократичний дискурс в межах інститутів "просування демократії" вказує на залежність останніх від сприяння західних держав "просуванню демократії", підтриманню режиму захисту прав людини та втручання у внутрішні справи авторитарних периферійних суспільств. В "третьому світі" формальна демократія розповсюджується такими інститутами, як Національний Фонд Демократії, Міжнародний Республіканський Інститут, Фонд Сороса, через застосування практик виключення та кооптації громадянського суспільства. Шляхом проникнення в периферійне громадянське суспільство дані інститути рекрутують та експлуатують опозиційні настрої та формують політичну зміну нелояльних до Заходу режимів. Спроба нав'язування демократичних інститутів віддзеркалена в політиці "кондиціональності" та механізму "сертифікації", які використовуються такими організаціями як ЄС, Світовий Банк і ОБСЄ.

Сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SNSPD) успешно применяются в квантовой оптике, когда требуется рекордное временное разрешение, высокое быстродействие и рекордно низкий уровень темнового счета (ложных срабатываний). Однако эффективность детектирования SNSPD ограничена коэффициентом поглощения излучения ультратонкой пленкой сверхпроводника. Один из перспективных способов увеличить поглощение в детекторе, не ограничивая его широкополосности, - изготовить детектор в виде нескольких слоев, расположенных друг над другом, и соединить их параллельно. Впервые исследовано однофотонное детектирование в многослойной структуре, состоящей из трех сверхпроводящих слоев аморфного силицида вольфрама (WSi), разделенных тонкими слоями аморфного кремния. Продемонстрированы 2 режима работы детектора: режим лавины (avalanche regime) и триггерный (arm-trigger regime) режим, а также определено, что смена режимов происходит в интервале токов ~ 0,5 - 0,6 от критического тока детектора.