Пошуковий запит: (<.>U=К345.5$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 72
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ДС44390 Нгуен Суан Нгиа Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик [Текст] : Дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Нгуен Суан Нгиа ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1994. - 219 л.
|
| 2. | ДС51485 Козицький С. В. Фізичні властивості та структура сульфіду і селеніду цинку, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [Текст] : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козицький Сергій Васильович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 1995. - 305 л.
|
| 3. | ДС82577 Притчин С. Э. Усовершенствание технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Притчин Сергей Эмильевич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2003. - 239 л.: ил.
|
| 4. | ДС82803 Порєв Г. В. Вдосконалення методів і засобів вимірювання параметрів електронно-променевої безтигельної зонної плавки [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.11.13 / Порєв Геннадій Володимирович ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2004. - 182 арк.
|
| 5. | ДС86216 Михальчук В. И. Разработка высокоточных устройств контроля температуры расплава и оптимизация тепловых условий при выращивании слитков кремния диаметром 150 мм [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Михальчук Виктор Ильич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2004. - 174 л.: рис.
|
| 6. | ДС88946 Рудько Г. Ю. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; НАН України, Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 300 арк.: рис.
|
| 7. | ДС91890 Вашерук А. В. Анализ влияния тепловых условий на структурное совершенство монокристаллов кремния и разработка теплового узла для выращивания бездефектных слитков в промышленных условиях [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Вашерук Александр Васильевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2006. - 139 л.: рис.
|
| 8. | ДС92013 Тербан В. А. Получение теллура высокой чистоты с пониженным содержанием кислорода для жидкофазной эпитаксии твердых растворов кадмий-ртуть-теллур [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Тербан Виктор Андреевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления, ОАО "Чистые металлы". - Кременчуг, 2005. - 132 л.
|
| 9. | ДС92913 Єгоров С. Г. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк.
|
| 10. | ДС51946 Паранчич Ю. С. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 133 с.
|
| 11. | ДС62609 Урум Г. Д. Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках [Текст] : Дис... канд. техн. наук:05.15.20 / Урум Галина Дмитриевна ; Украинская гос. академия связи им. А.С.Попова. - О., 1998. - 134 л.: рис.
|
| 12. | ДС65628сл Порєв В. А. Аналіз параметрів зони плавки за допомогою приладів з електронним розгортанням зображення [Текст] : Дис... д-ра техн. наук: 05.11.13 / В.А.Порєв ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 1999. - 300 арк.
|
| 13. | ДС72395 Комарь В. К. Технологические основы выращивания кристаллов соединений AIIBVI из расплава под давлением инертного газа [Текст] : Дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Комарь Виталий Корнеевич ; НАН Украины, Науч.-технол. концерн "Ин-т монокристаллов", Науч.-исслед. отд-ние "Оптич. и конструкц. кристаллы". - Х., 2001. - 218 л.
|
| 14. | ДС97332 Старжинский Н. Г. Физико-технологические основы получения АIIВVI сцинтилляторов, их свойства и особенности применения [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Старжинский Николай Григорьевич ; НАН Украины, Ин-т сцинтилляц. материалов. - Х., 2006. - 300 л.: рис., табл.
|
| 15. | ДС98323 Баганов Є. О. Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Баганов Євген Олександрович ; Херсонський національний технічний ун-т. - Херсон, 2006. - 178 арк.
|
| 16. | ДС99679 Критская Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.16.03 / Критская Татьяна Владимировна ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 2006. - 342 л.: фотоил., рис., табл.
|
| 17. | РА288516 Герега О. М. Використання перколяційних моделей у дослідженнях властивостей молекулярних систем [Текст] : Автореф. дис...канд. техн. наук: 01.04.14 / Герега Олександр Миколайович ; Одеська академія харчових технологій. - О., 1995. - 15 с.
|
| 18. | РА281031 Оскар Хосе Араика Ривера Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния n-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка [Текст] : Автореф.дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера ; Белорусский ун-т. - Минск, 1993. - 14 с.
|
| 19. | РА293663 Паранчич Ю. С. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 19 с.
|
| 20. | РА337036 Рудько Г. Ю. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2005. - 24 с.: рис.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка