Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>K=ПАРОВ$<.>+<.>K=УСТАНОВК$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
1. |
Запитує: Тетяна (24.06.2011) Тема запиту: Методи розрахунку надійності електромеханічних систем підіймальних установок з урахуванням потоку замовлень |
Примітка: статті, автореферати, монографії, книги, тези доповідей Ключові слова: підіймальні установки
Добрий день, Тетяно! Ваш запит потребує глибокого наукового дослідження, тому радимо звернутися до систематичного каталогу НБУВ. Також рекомендуємо переглянути наступний список матеріалів, який може стати Вам у нагоді. Видання є в НБУВ: ВА716475 - Пашков, Виктор Григорьевич. Подъемно-транспортные машины [Текст] : курс лекций для студ. очной и заоч. форм обучения спец. 7.090218 "Металлургическое обородувание" / В. Г. Пашков, И. А. Рагулин. - Краматорск : ДГМА, 2009. - 212 с., ВА676422 Динамічні моделі та закони керування електроприводом шахтного підйому: Моногр. / С.М. Довгань, А.А. Самойленко; Нац. гірн. ун-т. — Д., 2006. — 183 с. - (Проаналізовано методи дослідження динаміки шахтного підйому та розглянуто методики побудови структурних представлень електромеханічних систем шахтних підіймальних установок. Досліджено структури існуючих систем підпорядкованого керування електроприводом. Наведено синтез законів керування електроприводом шахтних підіймальних установок з урахуванням нестаціонарних властивостей електромеханічної системи. Запропоновано алгоритм розрахунку діаграми швидкості на базі трьох основних власних частот коливання електромеханічної системи підйому.), РА358794 Вплив нестаціонарних режимів роботи шахтних підіймальних установок на навантаження елементів конструкцій: автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.09 / Л.В. Семчук; Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 2008. — 20 с. — укp - Розроблено методологію розрахунку нестаціонарних режимів роботи шахтних підіймальних установок. Досліджено питання підвищення ефективності їх роботи за рахунок добору раціональних кінематичних і силових параметрів привідних систем. Проведено модальний аналіз механічних систем шахтних підіймальних установок. Розроблено рекомендації, спрямовані на усунення резонансних явищ. Досліджено вплив динамічних властивостей двигунів і коливальних явищ у механічних системах на навантаження елементів шахтних підіймальних установок у період пуску. Оцінено вплив параметрів дискретизації каната змінної довжини на точність розрахунків нестаціонарних процесів. Обгрунтовано число ступенів вільності розрахункової моделі. Проаналізовано вплив несталості радіуса навивання каната на барабан на динамічні зусилля в елементах шахтних підіймальних установок за нестаціонарних режимів роботи. Проведено якісне та кількісне оцінювання динамічних процесів у механічних системах установок під час гальмування. Визначено раціональні гальмівні режими даних машин. Проведено порівняльний аналіз результатів теоретичних і експериментальних досліджень.)(, ВА718889 Проектування та конструювання транспортних і підйомних машин та комплексів: навч. посіб. / В.О. Будішевський, В.М. Маценко, В.І. Дворніков, О.І. Баришев, В.О. Гутаревич; Донец. нац. тех. ун-т. — 3-тє вид., переробл. та доповн. — Донецьк: Вебер, Донец. філ., 2009. — 600 с. - (Розглянуто умови експлуатації, стадії проектування та випробувань гірничих транспортних машин і комплексів, охарактеризовано їх загальні функціональні елементи. Висвітлено фізичні засади взаємодії насипного вантажу з транспортною машиною, розглянуто динаміку тягових органів конвеєрів і потягу. Розглянуто методики розрахунку та конструювання конвеєрів (скребкових, стрічкових, пластинчастих), устаткування рейкового транспорту (вагонеток, локомотивів, монорейкових доріг) і транспорту з канатною тягою (підіймальних машин, тягових органів, транспортних засобів і транспортного шляху). Висвітлено окремі положення теорії шахтного підйому, описано базисні моделі підйомних установок. Розкрито особливості проектування транспортних комплексів, зокрема, навантажувальних і розвантажувальних, конвеєрних, прохідницьких і допоміжних, а також систем підземного транспорту. Висвітлено теоретичні засади автоматизації проектування транспортних засобів.), СО27835 Электромеханические системы транспортирующих механизмов [Текст] / В. Ф. Борисенко [и др.] ; общ. ред. В. Ф. Борисенко. - Донецк : Вебер. Донецкое отделение, 2007. - 332 c, ВС33652 Диагностика, динамика, надежность подъемно- траспортных машин [Текст] / В. И. Сарандачев [и др.]. - Д. : Арт-Пресс, 1999. - 360 с, ВС38030 Черненко, Л. Д. Механизация подъемно-транспортных работ промышленных предприятий [Текст] : зарубежный опыт / Л. Д. Черненко, Я. Г. Штепан ; Государственный Комитет Совета Министров УССР по координации научно-исследовательских работ, Укрсовнархоз. - К. : Институт технической информации, 1963. - 304 с. РОЗРАХУНОК ДИНАМІЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ПІДІЙМАЛЬНИХ ПРИСТРОЯХ З НЕСНИМИ ЕЛЕМЕНТАМИ ЗМІННОЇ ДОВЖИНИ
|
| 2. |
Запитує: Александр (06.12.2012) Тема запиту: Добрый день. Ищу книгу Костенко М. П., Нейман Л. Р., Блазевич Г. Н. Электромагнитные процессы в системах с мощными выпрямительными установками. M., Изд-во АН СССР, 1946. |
Примітка: Готов оплатить ксерокопию Ключові слова: Костенко М. П. -- Электромагнитные процессы
Добрий день! Потрібна Вам книга зберігається у фондах НБУВ. Замовити її Ви можете на загальних підставах згідно правил конристування НБУВ. Щодо ксерокопії, то відповідно до Закону України « Про авторське право і суміжні права», Ви можете замовити фрагмент потрібного Вам видання згідно з переліком платних послуг, які надаються у Відділі міжбібліотечного абонементу НБУВ (див. посилання): Видання є в НБУВ: Во355486 Костенко М. П., Нейман Л. Р., Блазевич Г. Н. Электромагнитные процессы в системах с мощными выпрямительными установками. M., Изд-во АН СССР, 1946. Відділ міжбібліотечного абонемента
|
| 3. |
Запитує: Владислав (22.12.2014) Тема запиту: Доброго времени суток. Мне нужна информация об "ДСТУ 3896-99". Подскажите пожалуйста, можно ли ее найти в вашей библиотеке, или в вашем онлайн ресурсе? |
Ключові слова: ДСТУ 3896-99. Вітроенергетика -- стандарти -- Вітроенергетичні установки та вітроелектричні станції: Терміни та визначення
Доброго дня! Видання, яке Вас цікавить зберігається в фондах НБУВ. Щоб ознайомитись радимо відвідати бібліотеку за адресою: м. Київ, проспект 40-річчя Жовтня, 3. Видання є в НБУВ: СТ3919 Вітроенергетика. - Вітроенергетичні установки та вітроелектричні станції. Терміни та визначення понять. - Вид. офіц. - На заміну ДСТУ 3896-99; чинний від 2009-01-01. - К. : Держспоживстандарт України, 2008. - III, 23 с., СТ429 Вітроенергетика. Вітроенергетичні установки та вітроелектричні станції: Терміни та визначення. - Введ. 2000.07.01.- Офіц. вид. - К. : Держстандарт України, 1999. - ІІІ, 21 с.
|
| 4. |
Запитує: Антон (03.02.2015) Тема запиту: Доброго дня, шукаю "Отчеты правления Херсонского Общества содействия физическому воспитанию детей за 1898,1899, и т.д. – Херсон: Паровая типо-литография О.Д. Ходушиной", а також "Памятная книжка Херсонской губернии на 1901 год. Составлена Херсонским Губернским Правлением. – Херсон: Типография херсонского губернского правления, 1900". Чи є ці видання у ваших фондах? Дякую |
| 5. |
Запитує: Елена (07.07.2017) Тема запиту: Здравствуйте, интересует информация, опубликованная до 15.11.2002, в которой могут быть описаны три(с)амидинаты летучих металлов (органометаллические комплексы), таких, как металлы переходной группы, редкоземельные металлы (примеры - лантан, иттрий, титан, ванадий, хром, железо, кобальт и т.д.). Примером такого соединения является трисдиизопропилацетамидинат металла. Указанные соединения являются прекурсорами в процессе атомно-слоевого осаждения (АСО, ALD) или химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ, CVD) - технологии осаждения тонких пленок. Также интересуют сами способы получения тонких пленок посредством воздействия указанными соединениями (трисамидинатами металлов) на субстрат с последующим воздействием восстановительного газа и вариации таких способов. |
Ключові слова: тонкі плівки -- технологія осадження -- способи отримання
Доброго дня! Сподіваємось, Вам стануть у нагоді наступні джерела. Також рекомендуємо здійснити додатковий самостійний пошук у реферативній базі даних НБУВ (див. посилання). Видання є в НБУВ: ВА587692 Філинюк М. А. Конструювання та розрахунок гібридних мікросхем : навч. посіб. / М. А. Філинюк ; Вінниц. держ. техн. університет. - Вінниця, 1998. - 97 c. (Представлено основну термінологію і класифікацію мікроелектроніки, систему умовних позначень мікросхем, розглянуті основні тенденції її розвитку. Наведено методи конструювання та розрахунку елементів гібридних мікросхем: плівкових резисторів, плівкових конденсаторів, плівкових індуктивностей, тонкоплівкових розподілених RC-структур, плівкових провідників, навісних елементів. Висвітлені методи проектування топології гібридних мікросхем, а також контрольно-перевіркові розрахунки топології гібридних мікросхем.), ВА598631 Проценко І. Ю. Технологія та фізика тонких металевих плівок : навч. посіб. для студентів фіз.-техн. ф-тів ун-тів / І. Ю. Проценко ; Сум. держ. університет. - Суми, 2000. - 148 c. (Розглянуто питання технології одержання, фізичних властивостей та методів дослідження металевих плівок (тобто плівкового матеріалознавства), зокрема, одержання вакуумних конденсатів, взаємозв'язок між умовами їх одержання та структурними особливостями.), РА314238 Шагінян Л. Р. Механізми формування тонких плівок, отримуваних різними методами іонно-плазмового осаджування : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. Р. Шагінян ; НАН України, Ін-т проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича. - Київ, 2001. - 37 c. (Встановлено загальні закономірності та виявлено найважливіші фізичні фактори, відповідальні за формування складу та структури тонких плівок, отримуваних термоіонним і реакційним термоіонним осадженням, різними модифікаціями магнетронного розпилення, методами активованого плазмою хімічного осадження та лазерного ви паровування. Вирішено важливу фізико-технічну проблему плівкового матеріалознавства, що дозволяє науково обгрунтовано вибирати оптимальний метод одержання плівок з необхідними характеристиками. Установлено, що вигляд плівкоутворювальних частинок (атомів, атомних кластерів, молекул) та енергія часток, які надходять на поверхню росту, для всіх методів осадження плівок є універсальними факторами, що визначають їх склад і структуру. Ці фактори визначаються методом осаджування плівки і залежать від фізико-технологічних параметрів процесу. Показано, що умовами, які визначають повну керованість властивостями плівок, є атомарний склад плівкоутворювальних частинок і регульована енергія частинок, що бомбардують поверхню росту. Присутність на поверхні конденсації поряд з атомами молекул сполук і неконтрольоване бомбардування швидкими частинками зростаючої плівки істотно перешкоджають формуванню плівок з досконалим складом і структурою та ускладнюють керування процесом їх осаджування. Отримані результати дозволяють прогнозувати характеристики плівок залежно від методу їх осадження та керувати ними.), РА306018 Лоп’янка М. А. Оптимізація технології і моделювання фізичних процесів у тонких плівках АIVBVI та структурах на їх основі : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.18 / М. А. Лоп'янка ; Прикарпат. ун-т ім. В. Стефаника. - Івано-Франківськ, 1999. - 19 c. (Дисертацію присвячено з'ясуванню впливу операційних технологічних факторів на фізичні властивості тонких плівок монохалькогенідів свинцю, олова і твердих розчинів на їх основі: Pb1-xSnxTe, PbSe1-xTex, Pb1-xSnxSe, (PbSe)1-x(SnTe)x і (PbTe)1-x(SnSe)x (вирощених з парової фази методом гарячої стінки). Одержані поліноміальні рівняння, побудовані технологічні діаграми і оптимізована технологія забезпечують умови вирощування тонкоплівкового матеріалу із наперед заданими властивостями. Процеси вирощування, радіаційної і термічної обробок епітаксійних плівок описано єдиною моделлю френкелівських пар і рівнянням неперервності для концентрації дефектів. На основі моделі існування виродженої області з n-типом на поверхні p-PbSe проведено розрахунок вольт-фазних характеристик діодів Шотткі.), Ж14161 Research of the Mass Diffusion Transfer in the Nanocrystalline Materials = Исследование диффузионного массопереноса в нанокристаллических материалах / L. N. Larikov, S. I. Sidorenko, N. P. Deyneka, T. V. Litvinova // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - № 2. - С. 22-25. (Досліджено нанокристалічну дифузійну систему Cr/Al. Тонкі плівки Cr наносились методом осадження із парової фази на алюмінієву (25 мкм) підкладку в камері високого вакууму. Використовувались MCBI та електронна оже-мікроскопія. До відпалу має місце ефект конденсаційно-стимульованої дифузії. При температурах 723 та 823 К визначено коефіцієнти об'ємної та зернограничної дифузії. Згідно з розрахунками після відпалу дифузія протікає головним чином вздовж меж зерен.), Ж14161 Импульсный фотонный отжиг как альтернативный метод термической обработки тонкопленочных систем тантал, титан--вольфрам на кремнии / Ю. Н. Макогон, Л. П. Максимович, С. И. Сидоренко, И. С. Фирстова // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - № 8. - С. 55-60. (Методами фізичного матеріалознавства досліджено процеси фазових перетворень, перерозподілу домішок та електрофізичні властивості тонкоплівкових (завтовшки до 300 нм) систем тантал - кремній, титан - вольфрам - кремній, які піддано імпульсному фотонному відпалу та відпалу у вакуумі. Встановлено послідовність фазових перетворень, які відбуваються у досліджуваних системах у процесі відпалу; імпульсний фотонний відпал є переважним методом термічної обробки. Досліджено роль поверхні в процесах перерозподілу домішок по товщині плівки.), Ж26990 Левченко И. С. Моделирование процесса формирования тонких силицидных пленок на кремнии при высокотемпературном отжиге / И. С. Левченко, А. А. Сукенник, Г. А. Чечко // Пробл. упр. и информатики. - 2000. - № 6. - С. 51-59. (Розроблено дифузійну модель процесу формування тонких силіцидних плівок на кремнії. Одержано розрахункові формули для визначення швидкості руху міжфазної границі силіцид-кремній і часу закінчення формування силіцидного шару залежно від товщини напиленої металевої плівки, температури відпалу, коефіцієнта дифузії та максимальної розчинності дифузанта в силіциді.), Ж28502 Дворина Л. А. Применение тугоплавких соединений в микроэлектронике / Л. А. Дворина, А. С. Драненко // Порошковая металлургия. - 2000. - № 9/10. - С. 116-121. (Виконано огляд літературних джерел щодо використання тугоплавких сполук для формування тонких плівок. Використання цих матеріалів класифіковано за схемою: низькоомні сполучення, омічні контакти, бар'єри Шотткі, оптоелектроніка, магнітні матеріали, бар'єрні шари. Наведено сукупність властивостей та основні параметри плівкової продукції. Указано на найперспективніші області використання плівок тугоплавких сполук у мікроелектроніці. Зазначено, що складалися умови для заміни традиційних металевих плівок на тугоплавкі сполуки.), Ж21854 Battiston G. A. Kinetic studies in a hot-wall MOCVD reactor = Кінетичне дослідження хімічного осадження металоорганічних сполук з газової фази в реакторі з нагрітими стінками / G. A. Battiston, R. Gerbasi, P. Zanella // Укр. хим. журнал. - 1999. - № 5. - С. 5-12. (Розглянуто один з головних аспектів LP-MOCVD (хімічне осадження з парової фази при низькому тиску) - кінетика росту тонких плівок. Термічний розклад вихідних речовин вивчено з допомогою інфрачервоної Фур'є-спектроскопії газової фази. Досліджено протікання паралельних реакцій в однорідній газовій або неоднорідній газово-твердій фазі, які складаються з ряду послідовних стадій. Полікристалічні тонкі плівки TiO2 отримано за відсутності кисню з використанням Ti(OPr-i)4) як вихідної речовини. Аморфні чорні (забруднені вуглецем) та гладкі плівки Al2O3 одержано в присутності кисню з Et2Alacac, а полікристалічні плівки Pt (не забруднені вуглецем) - з Pt(acac)2. Моделі добре передбачають швидкості осадження, відносячи до лімітуючої стадії енергію активації 126 кДж/моль для росту тонких плівок TiO2, 97 кДж/моль - для плівок Al2O3 і коефіцієнт дифузії 1062 см2/хв - для росту тонких плівок Pt.), Ж14161 Mulenko S. A. Laser deposition of semiconductor thin films from iron carbonyl vapours = Лазерне осадження напівпровідникових тонких плівок з пари карбонілу заліза / S. A. Mulenko // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - № 1. - С. 35-41. (Запропоновано метод формування напівпровідникових плівок і шарів, який базується на лазерному хімічному осадженні елементів з пари пентакарбоніла заліза (Fe(CO)5). Осадження елементів з пари Fe(CO)5 проведено за умов опромінення поверхні підкладки з Si сфокусованим випромінюванням Ar+- лазера (lambdaL = 488 нм). Наступна обробка осадженої плівки випромінюванням сфокусованого YAG:Nd+3-лазера (lambdaL = 1064 нм) за густини потужності 105 Вт/см2 призводить до утворення напівпровідникового шару з таким стехіометричним складом: FeSi2 - XCX. Обробка випромінюванням YAG:Nd+3-лазера призводить до збільшення ширини забороненої зони (Ei) напівпровідникового матеріалу від (0,01 +- 0,001) до (0,1 +- 0,01) еВ. Карбідо-силіциди з використанням заліза (FeSi2 - XCX) можна використовувати як неохолоджувані фототермоперетворювачі.), Ж21854 Заславський О. М. Особливості структуроутворення в лазерних оксидних конденсатах за умов швидкісної конденсації парового потоку / О. М. Заславський // Укр. хим. журнал. - 1999. - № 7. - С. 23-27. (Розглянуто аспекти формування плівок індивідуальних оксидів MO2 і M2'O3, (M = Ti, Zr, Hf, M' = Al, Sc, Y, La - Lu) при лазерному ви паровуванні оксидів. Досліджено процеси утворення фаз і росту кристалітів в залежності від температури субстрату. Показано, що особливості структуроутворення в тонких лазерних конденсатах оксидів визначаються температурним режимом осадження, який визначає рівень внутрішніх напружень в утворюваних плівках.), Ж29112 Удовиченко В. В. Мультифрактальные свойства пленки сульфида меди, полученной в самоорганизующейся химической системе / В. В. Удовиченко, П. Е. Стрижак // Теорет. и эксперим. химия. - 2002. - № 4. - С. 253-256. (Досліджено ріст фрактальних плівок CuS, що утворюються в реакції окиснення аскорбінової кислоти киснем повітря за присутності координаційної сполуки міді та сульфіду натрію. Процес росту плівок можна розділити на три стадії: зародження центрів росту CuS; ріст CuS відповідно до механізму дифузно лімітованої агрегації; на заключній стадії структура плівки не змінюється. Розроблено спосіб одержання плівок з однаковою фрактальною розмірністю, але різними значеннями фрактальної дивергенції.), Ж21854 CVD-синтез тонких оксидных пленок Zn и Al при ультразвуковой активации / В. П. Овсянников, Е. А. Мазуренко, А. И. Герасимчук [и др.] // Укр. хим. журнал. - 2002. - № 1-2. - С. 87-90. (Розглянуто теоретичні передумови, що обгрунтовують зміни в фізико-хімічних властивостях плівкових матеріалів за ультразвукового впливу на підкладку в процесі їх синтезу, а також наведено конкретні приклади покращання функціональних характеристик плівок, що осаджуються за такої активації процесу.), Ж28502 Andreeva A. F. The structure and some properties of Pb(Zr,Ti)O3 thin films = Структура и некоторые свойства тонких пленок Pb(Zr,Ti)O3 / A. F. Andreeva, A. M. Kasumov // Порошковая металлургия. - 2002. - № 11/12. - С. 9-11. (Досліджено можливість одержання плівок Pb(Zr,Ti)O3(PZT) окисненням багатошарової системи Pb - Zr - Ti. Плівки одержано ви паровуванням у вакуумі на підкладині з полірованого кварцу та ситалу за температури 300 - 800 К. Плівки PZT, одержані за умов температури 500 К, були аморфними. Зі збільшенням температури до 600 К спостережено кристалізацію конденсатів з утворенням структури типу перовскіта. Вивчено діелектричні й оптичні властивості конденсатів. Для структур метал - діелектрик - метал товщиною 0,8 мкм ємність складала 2,60 мкФ, діелектрична стала - 74 880. Ширина забороненої зони, визначена по краю власного поглинання, дорівнювала 3,5 еВ. Перевагою запропонованого методу одержання тонких плівок PZT є низька температура осадження, а також можливість проведення всіх технологічних операцій, у тому числі зміни складу та властивостей плівок шляхом легування.), Ж16425 Interfacial architecture on the fractal support: polycrystalline gold films as support for self-assembling monolayers / B. Snopok, P. Strizhak, E. Kostyukevich [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - N 3. - P. 86-97. (Для опису топографії поверхні тонких полікристалічних плівок золота використано мультифрактальний аналіз. Плівки виготовлялись термічним ви паровуванням у вакуумі. Їх структуру модифіковано за допомогою відпалу за різних температур в інтервалі 20 - 200 °С. Зображення поверхні плівок одержували за допомогою силової мікроскопії. Зображення проаналізовано як набір шарів, що розташовані паралельно деякій усередненій поверхні. Фрактальні субнабори з різними масштабними властивостями описано в термінах мультифрактальної дивергенції (тобто різниці між максимальними та мінімальними значеннями спектра f(alpha)). Це дозволило одержати нові дані про вплив температури відпалу плівок на структуру поверхні. Знайдено, що різноманітність фракталів різко зменшується в області температур 130 - 140 °С. Зроблено висновок про наявність фазового переходу в цій системі. Нижче температури фазового переходу топографія поверхні характеризується більш високою шорсткістю та наявністю дрібномасштабних нерегулярностей. За кімнатної температури структура поверхні зазнає морфологічного переходу, який викликаний плавленням дрібномасштабних нерегулярностей. Плавлення приводить також до зменшення шорсткості за рахунок розтікання кристалітів золота. Показано, що перетворення поверхні під час низькотемпературного відпалу змінює спектральну густину потужності та функції розподілу імовірностей висот.) Реферативна база даних
|
| 6. |
Запитує: Євген Пліско (20.02.2019) Тема запиту: Доброго дня. Скажіть, будь ласка, чи є ця література у фонді Вашої бібліотеки? Вкажіть, будь ласка, шифр та номер книг, якщо є. Дякую. З повагою, Євген. 1. Гринько Г. Очередные задачи советского строительства в области просвещения. Изд. НКП, Харьков, 1920. Выпуск 1, с. 27. 2. Дальтон-план и новейшие течения русской педагогической мысли / Под ред. Б.В. Игнатьева. М.: Мир, 1925. 179 с. 3. Жадовский Б. Исследовательский метод и Дальтонский лабораторный план. М. Л. 1925. 88 с. 4. Килпатрик В. Х. Метод проектов. Применение целевой установки в педагогическом процессе / В. Х. Кильпатрик ; [пер. с англ. Е. Н. Янжул]. – Л. : Брокгауз-Ефрон, 1925. – 43 с. 5. Коллингс Е. Опыт работы американской школы по методу проектов / Е. Коллингс [пер. с англ. С. Тюрберт] ; под ред. А. У. Зеленко, предисл. У. Кильпатрика. – М. : Новая Москва, 1926. – 289 с. 6. Мерзон И. И. Дальтонский лабораторный план в русской школе / с предисловием А. Г. Калашникова. Москва: Работник просвещения. 1925. 112 с. 7. Паркхерст Э. Воспитание и обучение по Дальтонскому плану. М.: Новая Москва, 1924. 232 с. 8. Пинкевич А. П. Советская педагогика за 10 лет (1917–1927). М.: Работник просвещения, 1927. 120 с. 9. Пирс Чарльз Сандерс. Что есть прагматизм? // Начала прагматизма. СПб.: Алетейя, 2000. С. 155–179. 10. Ряппо Я. Цілеві установки навчальних закладів України. Вид. ДВУ, Харків, 1927. 11. Свадковский И. Ф. Дальтон-план в применении к советской школе. М./Л.: Госиздат, 1925. 86 с. |
Ключові слова: пошук літератури
Добрий день! У фондах НБУВ присутні наступні видання (див. посилання). Видання є в НБУВ: Вр3446 Дальтон-план и новейшие течения русской педагогической мысли : сб. ст. / под общ ред. В. В. Игнатьева. - М. : Кооп. Изд-во "Мир", 1925. - 179 с. - (Практика Дальтон-Плана в России)., В39284 Жадовский Б. Исследовательский метод и дальтонский лабораторный план / Б. Жадовский. - М. ; Л. : Моск. Акц. Изд-ское О-во., 1925. - 88 с., В39172 Коллингс Е. Опыт работы Американской школы по методу проектов : пер. с англ. / Е. Коллингс. - [М.] : Новая Москва, 1926. - 286 [2] с., ВО330644 Мерзон И. Дальтонский лабораторный план в русской школе / И. Мерзон. - изд. 2-е. - М. : Работник просвещения , 1925. - 112 с., Ар224 Паркхерст Е. ...Воспитание и обучение по Дальтонскому плану : пер. с англ. / Е. Паркхерст. - [М.-Пб.] : Новая Москва, 1924. - 232 с., В343680/1 Пирс Ч. С. Начала прагматизма : пер. с англ. / Ч. С. Пирс. - СПбГУ : Алетейя, 2000. - Т. 1. : Начала прагматизма. - 318 с., В343680/2 Пирс Ч. С. Начала прагматизма : пер. с англ. / Ч. С. Пирс. - СПб. : Алетейя, 2000. - Т. 2. : Логические исследования теории знаков. - 352 с., Ви9352 Ряппо Я. Цілеві установки навчальних закладів України / Я. Ряппо. - Харків : Держвидав України, 1927. - 28 с., В38494 Свадковский И. Далтон-план в применении к советской школе / И. Свадковский. - 2-е перераб. и доп. изд. - М. ; Л. : Моск. Гос. изд-во, 1926. - 157 [2] с.
|
|
|
|