Визначено теплові умови ростової системи, що дозволяють вирощувати бездефектні монокристали кремнію діаметром 200 мм, для реалізації яких розроблено тепловий вузол з відповідною науково обгрунтованою геометрією. Проаналізовано механізм формування теплових умов у ростовій установці вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського. Визначено вплив теплових умов на щільність мікродефектів і нерівномірність розподілу кисню у монокристалах кремнію. Розроблено модель, що пов'язує теплові умови з мікродефектами та киснем у монокристалі кремнію. На базі даної моделі проведено параметричні дослідження та одержано нові результати, що визначають закономірності впливу теплових екранів та властивостей конструкційних матеріалів на розподіл кисню та щільність мікродефектів у монокристалі кремнію.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Створено математичну модель формування поля яскравості зони розплаву за наявності перевідбиття випромінювання у вакуумній камері, на базі якої розроблено методику оцінки похибки та метод підвищення точності вимірювання температури. На основі експериментально встановлених закономірностей формування поля яскравості у межах фазового переходу з метою підвищення точності вимірювання висоти зони розплаву запропоновано метод виділення контуру зображення. Розроблено методику, пристрій та програмне забезпечення для експериментального дослідження розподілу яскравості поверхні зони розплаву для різних режимів плавки. Одержано функції розподілу яскравості та температури на поверхні зони розплаву. Встановлено, що функція розподілу температури за висотою зони розплаву несиметрична, а збільшення швидкості переміщення зони розплаву призводить до збільшення температурного градієнта на поверхні рідкої фази.

  Скачати повний текст

Вивчено умови формування структурних дефектів, їх тип і концентрації. Виявлено взаємозв'язок процесів дефектоутворення з електрофізичними, сцинтиляційними та механічними властивостями кристалів твердих розчинів ZnSe - ZnTe і CdTe - ZnTe. Вивчено умови хімічної взаємодії розплавів сполук ZnSe, CdTe і ZnTe з конструкційними матеріалами та газовим середовищем у ході вирощування кристалів за методом Бриджмена. Встановлено оптимальні умови, за яких ступінь забруднення кристалів мінімальний. Визначено оптимальний діапазон концентрацій легувальної домішки телуру у кристалах ZnSe і режими термічної обробки, які забезпечують одержання сцинтиляторів з високим рівнем структурної досконалості, задовільною механічною міцністю та заданими сцинтиляційними параметрами.

  Скачати повний текст

Встановлено закономірності впливу властивостей і характеристик розплаву на кристалізацію монокристалів і розподіл домішок. Проаналізовано вплив електромагнітного поля плавильного індуктора на процеси, які протікають у розплаві. Описано переважні механізми перемішування розплаву в рідкій зоні в процесі вирощування монокристалів кремнію методом безтигельної зонної плавки.

  Скачати повний текст

Досліджено особливості гетероепітаксії з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb-InAs, що утворює гетероперехід II роду. Проведено теоретичний аналіз процесів, які мають місце під час гетероепітаксії GaSb/InAs, визначено умови, що забезпечують планарність гетеромережі й епітаксійного шару, встановлено основні вимоги щодо методу епітаксії. Побудовано математичну модель і розроблено комп'ютерний алгоритм для процесів тепломасопереносу, що мають місце у разі використання методу імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву. За допомогою моделювання визначено технологічні режими для забезпечення теоретично розрахованих умов росту. Запропоновано нову методику рідкофазної епітаксії на базі використання охолодження тильного боку підкладки потоком газу, що подається ззовні реактора та дозволяє керувати умовами росту на початкових стадіях і протягом усієї епітаксії. Практично реалізовано касету, що містить додатковий тепловий вузол для застосування нової методики. Експериментально одержано планарні гетероепітаксійні структури GaSb/InAs.

  Скачати повний текст

Формалізовано задачі оперативного управління виробництвом об'ємних монокристалів кремнію за методом Чохральського (ОМКЧ), під час вирішення яких використовуються коефіцієнт витягання матеріалу (КВМ) і коефіцієнт виходу в готову продукцію (КВГП). Запропоновано підхід до структурного синтезу ARIMA-моделей часових послідовностей, що базується на використанні нейронної мережі типу MLR для визначення структури моделі. Розроблено алгоритми кластеризації, які дозволяють розробити вхідну множину часових послідовностей на деякі непересічні підмножини з близькими значеннями характеристик з метою зниження трудомісткості їх моделювання. Удосконалено метод побудови узагальненого прогнозу за множиною часткових прогнозів шляхом реалізації адаптивного оцінювання параметрів комбінування залежно від поточних значень міри точності часткових прогнозів, що забезпечило підвищення якості узагальненого прогнозу.

  Скачати повний текст

Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.

  Скачати повний текст

Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Обгрунтовано шляхи вирішення проблеми одержання телуру високої чистоти зі зниженим і контрольованим вмістом кисню для електронного застосування. Встановлено, що у промисловій технології очистки телуру, яка включає дистиляційну та зонну стадії, основним джерелом надходження кисню є діоксид телуру у початковому телурі технічної чистоти. Відзначено, що вирощені з розчинів у розплаві телуру епітаксіальні структури CdHgTe характеризуються високими значеннями електрофізичних параметрів та відрізняються низькою щільністю поверхневих дефектів росту.

  Скачати повний текст

Розроблено метод вимірювання діаметра злитка, який дозволяє зменшити похибку вимірювання. Створено метод прогнозу концентрації вуглецю в злитках кремнію для сонячної енергетики. Запропоновано метод вимірювання активної потужності. Визначено автоматизовану систему управління технологічним процесом вирощування злитків кремнію, а також розроблено пристрій вимірювання та підтримки діаметра злитка кремнію. Встановлено метод і мікроконтролерний пристрій для вимірювання активної потужності. Одержано значення споживаної потужності, які дозволяють вносити необхідні коригування до параметрів технологічного процесу.

  Скачати повний текст

Установлено наявність двох каскадів релаксації гарячих екситонів за енергією (імпульсом) у магнітному полі у межах кожної з двох спін-розщеплених hh-екситонних підзон у напівмагнітних шарах та надгратках з сусідньою квантовою ямою, тобто експериментально доведено, що у таких структурах процес переходу екситонів з верхньої підзони в нижню з переворотом спіну є менш імовірним, ніж релаксація з випромінюванням LO фонона. Виявлено значний вплив спінового розщеплення на спінову релаксацію hh-екситонів у надгратці ZnMnSe/CdSe: за величин розщеплення, які перевищують значення енергії LO фонону, спінова релаксація істотно зростає. Експериментально показано, що внаслідок дії високочастотної плазмової обробки імплантована у кремній домішка фосфору змінює стан на електро-активний вузельний за більш низьких температур, ніж у разі термічного відпалу. анізотропні хімічно травлений кремній і ниткоподібні мікрокристали кремнію.

  Скачати повний текст

Розроблено комплекс установок для вирощування кристалів II - VI сполук. Створено тепловий вузол з двома роздільно керованими нагрівачами для вирощування кристалів з розплаву під тиском аргону до 100 атм за будь-яким методом: за Бриджменом, зонною плавкою або градієнтним охолодженням. Запропоновано принцип побудови теплового вузла ростової камери для вирощування великогабаритних кристалів. Охарактеризовано установку для вирощування кристалів селеніду цинку за методом Штебера діаметром 250 мм. Класифіковано фізичні фактори, що обумовлюють поглинання інфрачервоного випромінювання в кристалах селеніду цинку. Розроблено технологію вирощування зазначених кристалів для виготовлення елементів силової оптики. Доведено, що в ході вирощування сильно напружених кристалів ZnSe їх властивості модифікуються і спостерігаються аномальні фізичні ефекти, які можна використовувати для створення оптичних та акустичних пристроїв. Відзначено, що досягнення плоскої форми фронту кристалізації є необхідною умовою отримання матеріалу для напівпровідникових гамма-детекторів зі спектрометричними властивостями за кімнатної температури.

  Скачати повний текст

Встановлено вплив властивостей домішок в злитках кремнію та теплових умов формування злитків на їх напівпровідникові характеристики. Вперше розроблено механізм впливу швидкості охолодження злитків кремнію на ці характеристики та вплив форми потоку легуючої речовини на розплав за рахунок зміни тілесного кута у процесі формування злитка на однорідність розподілу домішки по його довжині.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст