Розглянуто вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників, використання технологічних лазерних методів для вирощування, легування, відпалу карбіду кремнію, формування нанокристалічних структур SiC і лазерне формування бар'єрних і омічних контактів до карбіду кремнію. Описано основні моделі лазерного відпалу напівпровідників і лазерно-стимульованої дифузії домішок. Встановлено оптимальні режими лазерної модифікації тонких плівок ZnS-Cu, Cl для зменшення шорсткості поверхні, які не призводять до погіршення емісійних властивостей структур.

  Скачати повний текст