Проведено вивчення структури кристалів з використанням рентгеноструктурного, мікрорентгеноспектрального, мікроструктурного, радіометричного методів аналізу та вимірювання мікротвердості. Установлено, що властива вихідному кристалу тетраедрична координація та ковалентний тип зв'язку зберігаються в розплавах CdTe, CdTe + 2(20) мол. % In, CdTe + 2(6) мол. % Ge принаймні до 1 825 К, що свідчить про мікрогетерогенність реальних розплавів напівпровідників у широкому інтервалі температур. Визначено, що в розплаві CdTe + 2 мол. % Sn за температур вище 1500 К проявляється помітний вклад металічної компоненти провідності, що є наслідком збільшення координаційного числа компонентів гратки в присутності багатозарядного іона. Вимірюваннями термоелектрорушійної сили розплаву до 1 825 К виявлено тонку структуру процесу топлення CdTe та його неізотермічний, постадійний характер, що є ознакою характерного для напівпровідників явища післятоплення.за методами ДТА ендотермічних процесів за певних температур перегріву розплаву, що супроводжується ростом його в'язкості (структурування) у вузькому інтервалі температур післятоплення на параметри процесу кристалізації, що свідчить про "хімічну пам'ять" розплавів. Установлено критичні температури реорганізації структури розплавів. Зроблено висновок щодо можливості поліморфного перетворення кристалічної гратки в інтервалі температур передтоплення. Проаналізовано результати дослідження в межах теорії самоорганізації в нерівноважених системах.

  Скачати повний текст