1. |
Ханова Г.В. Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіду самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Г.В. Ханова ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2000. — 15 с. — укp. Визначено умови для отримання плівок моносульфіду самарію кубічної модифікації, а також умови, які забезпечують відтворюване отримання вакуумною технологією плівок SmS з високою тензочутливістю. Досліджено рекомбінаційні параметри і механізми струмопереходу в тонкоплівкових структурах моносульфіду самарію, а також вплив матеріалу контактів на властивості цих структур. Визначено метрологічні характеристики напівпровідникових плівок на основі SmS і сформульовано основні особливості топології напівпровідникових тензорезисторів із SmS і показано деякі їх переваги перед металевими фольговими тензорезисторами. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З264.54 + З849.395 Шифр НБУВ: РА311491 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|