Розроблено фізичну модель комбінованого транзисторного опто-негатрона, яка враховує процеси, які призводять до зміни параметрів напівпровідникової структури під дією оптичного опромінювання, що дозволило обгрунтувати еквівалентну схему такого оптогенегатрона. Сформульовано вимоги до комбінованих транзисторних оптонегатронів як узагальнених перетворювачів імітансу (УПІ), що дозволило обгрунтувати основні технічні параметри оптонегатронів як УПІ. Розроблено імітансну модель комбінованого транзисторного оптогенератора та досліджено характер перетворення імітансу чотириполюсників на базі транзисторного оптонегатрона у частотній області за будь-яких значень перетворювального імітансу під дією оптичного опромінювання. Одержано математичні моделі внутрішнього інваріантного коефіцієнта стійкості, коефіцієнта максимальнодосяжного підсилення за потужністю на межі стійкості, коефіцієнта невзаємності, максимальнодосяжного негативного дійсного імітансу УПІ на базі комбінованого транзисторного оптонегатона в області потенційної нестійкості. Визначено умови реалізації певних елементів і пристроїв автоматики на його базі та досліджено дію оптичного опромінювача на характеристики таких елементів і пристроїв.

  Скачати повний текст