1. |
Тербан В.А. Отримання телуру високої чистоти з пониженим вмістом кисню для рідинофазної епітаксії твердих розчинів кадмій - ртуть - телур: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / В.А. Тербан ; Кременчуц. ун-т економіки, інформ. технологій і упр. — Кременчук, 2006. — 20 с. — укp.Обгрунтовано шляхи вирішення проблеми одержання телуру високої чистоти зі зниженим і контрольованим вмістом кисню для електронного застосування. Встановлено, що у промисловій технології очистки телуру, яка включає дистиляційну та зонну стадії, основним джерелом надходження кисню є діоксид телуру у початковому телурі технічної чистоти. Відзначено, що вирощені з розчинів у розплаві телуру епітаксіальні структури CdHgTe характеризуються високими значеннями електрофізичних параметрів та відрізняються низькою щільністю поверхневих дефектів росту. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + Шифр НБУВ: РА343803
Рубрики:
|