1. |
Стрільчук О.М. Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.М. Стрільчук ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 20 с. — укp.Досліджено дефектні стани, створювані залишковими домішками та дефектами гратки, їх взаємодію між собою і з екситонами, а також вплив цієї взаємодії на енергетичну структуру напівізолюючого спеціально нелегованого арсеніду галію. Експериментально показано, що в напівізолюючому GaAs спостерігається значна взаємодія дефектних станів (домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами). Визначено роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Отримано залежність між концентрацією вуглецю і концентрацією дивакансій галію та запропоновано модель, що пояснює цю залежність. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Шифр НБУВ: РА314059 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|