Наведено результати дослідження електрофізичних властивостей анодних шарів поруватого кремнію на поверхні Si та в контакті метал - Si. Експериментально визначено вплив режимів формування, додаткового ультрафіолетового освітлення й адсорбції молекул на параметри локалізованих станів і рекомбінаційні характеристики поруватого кремнію. Запропоновано модель контакту метал - тонкий поруватий кремній - Si та визначено параметри поверхневих станів. На базі теоретичної моделі проаналізовано чутливість структур "каталітичний метал - поруватий кремній (5 - 100 нм) - Si" у процесі адсорбції водню. Доведено їх переваги над звичайними кремнієвими МОН структурами. Висвітлено нові версії оптоелектронних приладів на основі гетероструктур з шарами поруватого кремнію (лавинний фотодіод, оптично керований холодний катод, сонячний елемент з селективними дифузорами), визначено їх характеристики. Підтверджено практичне значення отриманих результатів на прикладі підвищення ефективності сонячних елементів за рахунок створення включень поруватого кремнію. Досліджено процеси структурно-хімічної перебудови у тонких оксидних шарах та її вплив на електрофізичні характеристики поверхнево-бар'єрних структур.

  Скачати повний текст