Розроблено фізико-технологічні основи одержання лазерним випромінюванням фотодіодів (ФД) на основі pInSe, досліджено їх характеристики. Запропоновано модель формування p-n-переходу у разі лазерного опромінення шаруватих кристалів. Вперше виявлено "ефект малих доз" за X- та gamma-опромінення ФД власний оксид-p-InSe та n-InSe-p-InSe. Виявлено покращання параметрів ФД, а для максимальних доз - незначне зменшення деяких з них. Доведено, що вплив радіації зводиться до утворення точкових дефектів вакансійного типу. Встановлено, що радіація призводить до утворення точкових дефектів і кластерів, що є ефективними центрами рекомбінації. На підставі результатів даних рентгеноструктурного аналізу та спектрів комбінаційного розсіювання світала з'ясовано, що усі типи опромінення призводять до несуттєвих змін кристалографічної структури, вакансійної та домішкової підсистеми шаруватих кристалів.

  Скачати повний текст