В дисертації викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структуру і функціональні властивості тонких плівок WO3, NiO, VOx та монокристалів InSb. Досліджено вплив іонних та температурних обробок на оптичні та електричні характеристики приладових структур на їх основі. Розроблено методики визначення структурного складу методами ВІМС і ВРХД на різних етапах (напорошення, імплантація, відпали) для забезпечення контрольованого формування матеріалів із заданими характеристиками.Встановлено залежності пропускання плівок WO3 та NiO від дози імплантованого водню. Проведено дослідження впливу складу електроліту на стабільність роботи електрохромної комірки. Оптимізовано конструкцію електрохромної комірки та створено прототипні зразки. Запропоновано новий метод синтезу плівок VOx з високим температурним коефіцієнтом опору та відтворюваністю характеристик. Визначено зміну структурних та електричних параметрів протягом технологічного маршруту. Досліджено процес формування p-n переходу в кристалах InSb методом іонної імплантації. Визначено оптимальні параметри легування для підвищення характеристик синтезованих структур.^UThe thesis presents the results of a study of the ion implantation effect on the structure and functional properties of WO3, NiO, VOx thin films and InSb single crystals. The influence of ion implantation and temperature treatments on the optical and electrical characteristics of instrument structures based on the mis investigated. Techniques have been developed for determining the structural composition by SIMS and HRXHD methods at different stages of sample creation (deposition, implantation, annealing) to ensure the controlled formation of materials with desired characteristics. The dependences of the optical transmission of WO3 and NiO films on the dose of implanted hydrogen were determined. The influence of electrolyte composition on the stability of the electrochromic cell was investigated. The design of the electrochromic cell was optimized and prototype designs were created. A new method of synthesis of VOx films with high temperature coefficient of resistance and reproducibility of characteristicsis have been proposed. The change in structural and electrical parameters during the technological route is determined. The process of formation of p-n junction in InSb crystals by ion implantation was investigated. Optimal doping parameters were determined to improve the characteristics of the synthesized structures.