1. |
Рувінський Б.М. Вплив технологічних факторів на дефектну підсистему і електронні процеси у плівках халькогенідів свинцю PbTe, PbSe і PbS: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / Б.М. Рувінський ; Прикарпат. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2003. — 20 с.: рис. — укp.Вперше сформульовано та розроблено модель дефектоутворення тонких плівок халькогенідів свинцю у технології гарячої стінки з одночасним урахуванням складного спектра зарядових станів дефектів, внутрішніх напружень у плівці та роду підкладок, а також кінетики ізотермічного вакуумного відпалу з виникненням двошарової p-n-структури у плівках p-PbS. Розглянуто кристало-хімічний механізм виділення вільної фази свинцю у разі парофазної епітаксії плівок PbTe та PbSe, який пов'язаний з дисоціацією сполук у разі випаровування та нагромадженням міжвузловинних атомів свинцю у конденсаті. На підставі результатів теоретичного та експериментального дослідження кінетики концентрації електронів у разі вакуумного відпалу плівок n-PbTe за участю кисню виявлено суттєву роль дифузійних процесів атомів і вакансій телуру. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В372.31,022 + Шифр НБУВ: РА323191
Рубрики:
|