Вперше застосовано оригінальний спосіб епітаксійного вирощування гетероструктур SiGe з квантової точки (КТ) Ge, що дозволяє встановити залежність її параметрів від пружних напружень, які виникають в острівцевій плівці. Проведено числові розрахунки для встановлення зв'язку між пружними напруженнями та параметрами КТ. Вперше за допомогою прямих методів електронної польової та фотопольової емісії з нанокластерів Ge на Si (100) та (111) зафіксовано ефект розмірного квантування.

  Скачати повний текст