Розглянуто у міліметровому діапазоні хвиль інтегральну p-i-n-структуру як розмірну систему. Доведено, що у випадку взаємодії p-i-n-діода з потужними надвисокочастотними (НВЧ) полями, матеріальне рівняння даної системи випливає з нелінійного рівняння амбіполярної дифузії. Визначено, що нелінійна компонента рівняння амбіполярної дифузії характеризує продетектований у неоднорідній активній області діода струм. Запропоновано аналітичні співвідношення для розрахунку значення електричної компоненти НВЧ поля (критичне значення поля), у разі якого починають домінувати нелінійні ефекти. Встановлено характер залежностей критичного значення поля від таких параметрів, як частота поля, ширина i-області p-i-n-структури, усередненого часу розсіювання імпульсу електронів і дірок, струму прямого зміщення. Побудовано математичну модель проходження НВЧ хвиль через інтегральну p-i-n-структуру стрічкового типу, яку використано для вирішення проблеми узгодження p-i-n-діода із одно- та багатомодовою лініями передач міліметрового діапазону.

  Скачати повний текст