Дисертаційна робота присвячена дослідженню впливу дисипативних дислокаційних процесів в вершині мікротріщини на стадії субкритичного росту на характеристики руйнування напівкрихких кристалів. Запропонована дислокаційна модель процесу динамічного руйнування, що враховує дисипацію пружної енергії в пластичній зоні вершини тріщини, термічно активований характер руху дислокацій та екрануючий вплив дислокаційної конфігурації на величину і просторову залежність поля вершини мікротріщини. Отримані дислокаційні критерії субкритичного росту мікротріщин та наведені оцінки параметрів дислокаційного ансамблю, що необхідні для гальмування та зупинки критичних мікротріщин в матриці металів з ОЦК- і ГЩУ- гратками. В рамках цього підходу отримані аналітичні вирази, що описують температурну залежність істинної руйнуючої напруги і ефективної поверхневої енергії. На основі уявлень про вирішальну роль дисипативних процесів в вершинах субкритичних мікротріщин запропонована принципова схема переходу кристалів в крихкий стан і одержані аналітичні вирази, що описують структурну чутливість температури нижнього порога холодноламкості.

  Скачати повний текст