Встановлено закономірності хімічного розчинення напівпровідникових кристалів InAs, InSb, GaAs, GaSb в бромвиділяючих травильних композиціях на основі (NH4)2Cr2O7. Визначено вплив компонентного складу систем (NH4)2Cr2O7−HBr−С6Н8О7 (20 % та 40 %-на), (NH4)2Cr2O7−HBr−С4Н6О6 (27 % та 40 %-на), (NH4)2Cr2O7−HBr−С3Н6О3, (NH4)2Cr2O7−HBr−С2Н4(ОН) та (NH4)2Cr2O7−HBr−Н2О на характер процесу розчинення кристалів та побудовано 28 діаграм “склад розчину – швидкість травлення”. На основі оцінки якості отриманої поверхні виділено склади поліруючих і неполіруючих розчинів у концентраційному діапазоні (в об.%): (2-22) (NH4)2Cr2O7:(10-98) HBr:(0-80) розчинник. Показано, що збільшення вмісту окисника супроводжується зростанням швидкості розчинення арсенідів та антимонідів, а збільшення вмісту розчинника – зменшенням загальної швидкості травлення. Визначено вплив гідродинамічних умов та температури на механізм і швидкість травлення зразків. Встановлено дифузійну та/або змішану природу процесу розчинення напівпровідників. Застосування методу диску, що обертається, дозволяє контролювати швидкість взаємодії реагентів і товщину видаленого шару. На основі температурних залежностей розраховано значення уявної енергії активації (Еа = 1,25-23,53 кДж/моль) і встановлено кінетичну компенсаційну залежність між величиною уявної енергії активації та передекспоненційного множника. За результатами досліджень стану поверхні методами рентгеноструктурного аналізу та мікро-раманівської спектроскопії встановлено, що розчинення кристалів у поліруючих травниках супроводжується формуванням чистої поверхні. Стехіометричне співвідношення [AIII]/[BV] на поверхні кристалів свідчить про те, що досліджувані травильні композиції сприяють рівномірному розчиненню елементів напівпровідників незалежно від їх природи. Методом атомно-силової мікроскопії підтверджено формування надгладкої поверхні підкладок (шорсткість поверхні, Ra = 0,2-9,3 нм) після їх розчинення в поліруючих травильних сумішах. Показано, що хіміко-динамічне полірування збільшує шорсткість поверхні, в порівнянні з хіміко-механічним поліруванням. Розроблено серію низько-швидкісних (v = 0,1-10,4 мкм/хв) розчинів, які характеризуються поліруючими властивостями та забезпечують контрольоване зняття порушеного шару.^UThe features of the chemical dissolution of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals in the based on (NH4)2Cr2O7 bromine emerging etching compositions have been established. The component compositions of the (NH4)2Cr2O7−HBr−С6Н8О7 (20 % and 40 %), (NH4)2Cr2O7−HBr−С4Н6О6 (27 % and 40 %), (NH4)2Cr2O7−HBr−С3Н6О3, (NH4)2Cr2O7−HBr−СН2(ОН)СН2(ОН) and (NH4)2Cr2O7−HBr−Н2О etching solutions influence on the nature of mention above crystal dissolution has been defined and 28 diagrams of “solution composition – etching rate” have been constructed. Assessing the quality of obtained surface, the compositions of polishing and unpolishing solutions have been selected in the component concentration interval with (in vol.%): (2-22) (NH4)2Cr2O7:(10-98) HBr:(0-80) solvent. The influence of hydrodynamic conditions and temperature on the mechanism and a rate of substrate etching have been defined. The rotation disk method allows the controlling of the reagent interaction rate and the removing of the layer thickness. According to the results of temperature dependencies of the dissolution, the values of apparent activation energy with Еа = 1,25-23,53 kJ/mol have been calculated and the kinetic compensation dependence between the value of apparent activation energy and pre-exponential factor changing has been found. The results of the treated surface investigation by X-ray diffraction analysis and micro-Raman spectroscopy indicate that in the polishing etchants the crystal dissolution produce the clean surface. Stoichiometric ratio of [AIII]/[BV] on the crystal surfaces confirms that investigated etching compositions promote the uniform dissolution of the semiconductor elements which does not depends on their nature. The method of atomic-force microscopy confirmed the formation of the super-smooth surface with surface roughness Ra = 0,2-9,3 nm after its dissolution in the polishing etching compositions. It was shown that chemical-dynamic polishing promotes the surface roughness increasing, in comparison with chemical-mechanical polishing. The series of low-rate etching solutions (v = 0,1-10,4 μm/min) with polishing features have been developed. They provide the controlling remove of damaged layer.