Досліджено питання молекулярно-динамічного (МД) моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, а також утворення вакансій, міжвузлових і радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, що описуються багаточастинковими атомними потенціалами у разі бомбардування іонами Ar і Xe з енергіями 15 - 100 еВ за температур 0 К - 750 К. Розглянуто можливість використання стабільного і квазістабільного МД методів для розрахунків параметрів моделей іонного перемішування (ІП) та радіаційно-прискореної дифузії (РПД): коефіцієнтів розпилення та ІП, середньої швидкості дрейфу атомів віддачі, розподілу генерації вакансій і міжвузлових атомів за глибиною кристала. Розраховано пошарові профілі концентрації псевдомаркера (ІП і РПД) у Cu та Ni, а також маркера з низькою концентрацією Al в Ni (ІП).

  Скачати повний текст