Розкрито особливості науково-технічних революцій в нанонауці та нанотехнології, молекулярній біології, інформаційних технологіях, когнітивних науках, які породжують індустрію сучасних високих наукомістких технологій. Проаналізовано ключові особливості сучасних надтехнологій, сформульовано положення про те, що форми практичної реалізації системи NBIC в коеволюції з різними сферами життєдіяльності соціуму виступають системотвірним чинником кардинальної технологічної трансформації в еволюції планетарної цивілізації. Доведено, що високі наукомісткі технології, поява та широке тиражування яких ініціюється розвитком фундаментальної науки, перетворюються на головний детермінуючий чинник становлення та розвитку планетарної цивілізації. Визначено, що наукомісткість є новою якістю буття планетарної цивілізації. Розкрито евристичний потенціал високих технологій та їх вплив на тенденції еволюції планетарної цивілізації.

  Скачати повний текст

Ретельно вивчені механізмі фотопровідності (ФП), фотоелектрорушійної сили та впливу дефектних рівнів у квантовоточкових сонячних елементах (КТСЕ/QDSC). Досліджена роль глибинних шарів на фотоелектричні властивості вертикальних метаморфних InAs/In0.15Ga0.85As та псевдоморфних (звичайних) InAs/GaAs структур із квантовими точками. Зокрема у випадку електрично активної підкладки, метаморфна та псевдоморфна наноструктури продемонстрували біполярний сигнал фото електрорушійної сили (фотоЕРС). При наявності електрично неактивної підкладки у поєднанні з товстими буферами сильно пригнічує вплив фотоактивних глибинних рівнів, що виникають на інтерфейсах з підкладкою si-GaAs, на фотоелектричні властивості наноструктур. Показано що спектр електронних пасток метаморфних структур, зосереджених головним чином навколо квантових точок (КТ/QD), багатший, ніж у псевдоморфній структурі InGaAs/GaAs. Більшість дефектів були визначені як відомі комплекси точкових дефектів (ТД), пов'язаних з GaAs та інтерфейсами GaAs-In(Ga)As. Продемонстрована залежність густини дефектів у метаморфних InAs/InxGa1–xAs від x.^UThe mechanisms of photoconductivity, photovoltage force and influence of defect levels in quantum dot solar cell are carefully studied. The role of deep layers on the photoelectric properties of vertical metamorphic InAs/In0.15Ga0.85As and pseudomorphic InAs/GaAs structures with quantum dots has been studied. In particular, in the case of an electrically active substrate, metamorphic and pseudomorphic nanostructures showed a bipolar photovoltage signal. In the presence of an electrically inactive substrate in combination with thick buffers, it strongly inhibits the effect of photoactive depth levels that occur on interfaces with the si-GaAs substrate on the photoelectric properties of nanostructures.It is shown that the spectrum of electron traps of metamorphic structures concentrated mainly around quantum dots is richer than in the pseudomorphic structure InGaAs / GaAs. Most defects have been identified as known complexes of point defects associated with GaAs and GaAs-In (Ga) As interfaces. The dependence of the defect density in metamorphic InAs / InxGa1–xAs on x is demonstrated.The influence of additional AlAs capping layers on quantum dots properties was investigated.