Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

  Скачати повний текст