1. |
Гасан-заде С.Г. Електронні явища в вузькощілинних та безщілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / С.Г. Гасан-заде ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Е.Лашкарьова НАН України. — К., 2004. — 32 с.: рис. — укp.Досліджено закономірності змін та особливості нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації (ОД), магнітного поля Н або пасивації поверхні анодним окислом. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Шифр НБУВ: РА329414
Рубрики:
|