1. |
Боцула О.В. Нестійкості струму в GaAs з ударною іонізацією та тунелюванням: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.04 / О.В. Боцула ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2007. — 16 с. — укp.Досліджено особливості роботи діодів на основі арсеніду галію, що містить нейтральні центри захоплення носіїв заряду та нестійкості струму, що виникають у цих діодах за умов міждолинного переносу електронів, ударної іонізації домішок і захоплення електронів у сильних електричних полях. Вивчено роботу генераторів на основі цих діодів і перехідні процеси, що в них відбуваються, за різних профілей легування. Розглянуто спільну роботу додів з міждолинним переносом електронів і діодів з негативною диференціальною провідністю, зумовленою тунельними ефектами. Установлено особливості їх використання для одержання генерації у широкому діапазоні частот. Розглянуто можливості помноження частоти з використанням тунельних явищ. Досліджено роботу діодів з міждолинним переносом електронів з тунельним і резонансно-тунельними контактами. Визначено умови одержання генерації діодів з таким контактом за рахунок ефекту міждолинного переносу електронів, а також за рахунок негативної диференціальної провідності контакту. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.25,022 + З852.2 + Шифр НБУВ: РА355061
Рубрики:
|