Досліджено закономірності впливу на люмінесцентні характеристики та мікроструктурні перетворення процесів, обумовлених низькотемпературним легуванням, і рядом інших низькоенергетичних зовнішніх впливів у дисперсійних двох компонентних матеріалах. Розглянуто процеси впровадження Ga у ZnS, а також вплив зовнішніх факторів, що призводять до зміни величини вільної енергії компонент, на ефективність низькотемпературного легування порошкоподібного ZnS галієм. Показано, що першочергове введення домішок Іn або Ga викликає перекриття придислокаційного каналу дифузії міді. Встановлено, що Mn дифундує у порошкоподібному ZnS за Т=300 К. Встановлено механізми його дифузії та динаміку перетворення випромінювальних центрів, обумовлених Мn.

  Скачати повний текст