Досліджено механізми зародкоутворення та росту Si преципітатів у кристалічній решітці алюмінію. За допомогою ab initio розрахунків одержано міжатомні потенціали для Si - Al взаємодії в алюмінії. Дані потенціали, разом з одержаними іншими потенціалами для Al - Al та Si - Si взаємодії, використано для вивчення релаксації малих Si кластерів, що відіграють важливу роль у формуванні зародків у процесах Si преципітації. Запропоновано спеціальну модель для вивчення природи хімічного зв'язку між Si та Al. З'ясовано, що дані зв'язки подібні до ковалентних у кристалі Si. Виявлено, що за умов загартовування та нейтронного опромінювання дифузійні процеси, що обумовлюють преципітацію атомів Si, відбуваються за відносно низьких температур. Надано пояснення низькотемпературної дифузії з використанням механізму дивакансійної дифузії. З'ясовано, що ріст Si преципітатів за умов нейтронного опромінювання алюмінію обмежується дифузією атомів Si до преципітатів в Al решітці.

  Скачати повний текст