Пиц М.В. Вплив атомних і структурних дефектів на електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / М.В. Пиц ; Прикарпат. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2001. — 20 с.: рис. — укp.
інверсного шару (для плівок n-PbTe) або до збагаченого надповерхневого шару (для плівок p-PbTe та p-SnTe). Встановлено, що ізохронний відпал плівок SnTe на повітрі до 670 К вже на початкових етапах призводить до окиснення олова й утворення на поверхні стабільних оксидів. Для плівок PbTe зафіксовано збагачення надповерхневого шару киснем і свинцем за рахунок дифузії останнього з глибини плівки та взаємодії з киснем.