Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.

  Скачати повний текст

Досліджено запропоновані методи та структури відповідних двотактних схем. Наведено аналітичні вирази для статичної передатної характеристики та відповідних похибок лінійності. Одержано співвідношення для визначення динамічних характеристик базових схем двотактних підсилювачів постійного струму. Проведено порівняльне схемотехнічне моделювання відомих і запропонованих схем і показано, що двотактні симетричні ППС мають кращі статичні та динамічні характеристики у порівнянні з аналогами. Доведено, що застосування аналогових вузлів, побудованих на базі двотактних підсилювачів постійного струму, дозволяє суттєво покращити інтегральну лінійність перетворювачів форми інформації.

  Скачати повний текст

Розроблено методику та зроблено оцінку міжбалістичного транспорту вільних носіїв у приладах з арсеніду галію залежно від режиму роботи та параметрів напівпровідникових структур (НПС). Запропоновано математичну модель для опису у кінетичному наближенні процесів, що відбуваються у НПС, яка враховує найбільш імовірні процеси розсіяння електронів у кристалі напівпровідника. Наведено модель і створено пакет програм для комплексного числового моделювання уніполярних напівпровідникових приладів планарної архітектури з затвором Шотткі. Проведено апробацію моделі, показано адекватність опису процесів, що відбуваються у приладах субмікронних розмірів. За допомогою даної моделі проведено цикл експериментів, що досліджують динамічні характеристики GaAs і вплив різних режимних і конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шотткі.

  Скачати повний текст

Розроблено конструкції та технології виготовлення автодинного сенсора дециметрового діапазону частот, придатного для проведення вимірювань кінетичних параметрів у широкому температурному діапазоні тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів у дециметровому діапазоні частот. Досягнено підвищення достовірності й ефективності вимірювань в широкому температурному діапазоні кінетичних характеристик тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів давачів інфрачервоного діапазону. Проведено дослідження впливу схемотехнічних факторів на ефективність дефектування та можливість покращання характеристик сенсора, зокрема співідношення сигнал / шум і коефіцієнта заповнення котушки.

  Скачати повний текст

Досліджено нелінійні властивості динамічних комбінованих транзисторних негатронів і реалізації пристроїв автоматики на їх базі. Розроблено нові математичні моделі нелінійного режиму роботи комбінованого негатрона на біполярному та польовому транзисторах. Під час розрахунку параметрів пристроїв автоматики з використанням таких негатронів, які працюють у режимі великого сигналу, достатньо врахувати першу та другу гармоніки сигналу, а також амплітуду імпульсу колекторного струму. Визначено Y-параметри динамічного комбінованого транзисторного негатрона у режимі великого сигналу. Розроблено математичні моделі параметричного та основного режимів роботи даного негатрона на біполярному транзисторі. Запропоновано методику оцінювання максимально досяжного значення потужності генерованих коливань, яка дозволяє розрахувати оптимальне значення провідності навантаження та максимальне значення генерованої потужності. Створено математичну модель та методику рохрахунку генератора електричних коливань, який використовує комбінований негатрон на польовому транзисторі, що дозволяє здійснювати аналіз роботи генератора залежно від величини генерованих коливань. Розроблено та досліджено пристрої авоматики на підставі нелінійних властивостей транзисторних негатронів, а саме: автогенераторні пристрої, активні перетворювачі частоти, генераторні давачі різного функціонального призначення.

  Скачати повний текст

Здійснено числове дослідження особливостей характеристик GaAs польового транзистора з затвором Шоткі (ПТШ) в області входження до перенапруженого режиму, включаючи пробій. Створено та реалізовано нову числово-аналітичну модель GaAs ПТШ, що забезпечує можливість аналізу функціонування за таких режимів. Модель базується на розв'язанні кінетичної та теплової задач з урахуванням специфіки розігріву та механізмів розсіювання носіїв у каналі, є сукупністю системи рівнянь Больцмана та Пуассона, доповненою нестаціонарним рівнянням теплопровідності та моделями контактів метал - напівпровідник. Система розв'язується за методом макрочастинок. Показано адекватність моделі. Проведено числові дослідження впливу різних режимних та конструктивних параметрів ПТШ на його характеристики за номінального та напруженого режимів роботи ПТШ, зокрема його пробою.

  Скачати повний текст

Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної групи, встановлено значну (до 40 %) деградацію основних параметрів транзисторів та виявлено складний характер стимульованої деградації HEMT (зокрема, спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур та робочих умов). Проаналізовано фізичні причини радіаційного старіння тестових структур з урахуванням можливої релаксації механічних напружень бар'єрного шару AlGaN, а також стимульованих міжфазних реакцій та зернограничної дифузії у контактній металізації.

  Скачати повний текст

Експериментально обгрунтовано модель формування бар'єра Шотткі (БШ) на реальній поверхні GaAs. Показано, що на першій стадії має місце взаємодія атомів Ti з компонентами власних оксидів напівпровідника та утворення TiO, а на другій - ріст полікристалічного шару металу, що призводить до локальної структурної неоднорідності та потенційної ненадійності затворів польових транзисторів з бар'єром Шотткі. Досліджено фізико-хімічні процеси у контактах, сформованих квазіаморфними бінарними сполуками боридів та нітридів Ti з GaAs, експериментально обгрунтовано можливість використання цих сполук для формування БШ з високим ступенем структурної неоднорідності міжфазного кордону. Установлено, що причиною високої термостійкості БШ, виготовленого за умов заміни Ti на його сплави, є низька розчинність атомних компонент напівпровідника у цих матеріалах, навіть в околі температури термічної дисоціації GaAs. Показано, що застосування у складі металізації приладу шарів боридів і нітридів тугоплавких металів значно обмежує міжшарові взаємодії, стимульовані термообробкою і випромінюванням, внаслідок низької дифузійної проникності цих шарів та їх стабільності до процесів окиснення.

  Скачати повний текст