Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Піддячий В.І. Високоефективне перетворення частоти на діодах з бар'єром Шотткі та малошумливі приймачі міліметрового діапазону: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / В.І. Піддячий ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2007. — 19 с. — укp.Досліджено процес перетворення частоти на сучасних високолегованих діодах з бар'єром Шотткі (ДБШ) та створено на їх базі приймальні системи триміліметрового діапазону з рекордною чутливістю. Визначено оптимальний для даного діапазону тип ДБШ, обчислено його мінімальне досяжні втрати перетворення й умови їх ралізації у змішувачі. На підставі одержаних результатів створено вискочутливі приймальні системи триміліметрового діапазону, які використовуються на радіотелескопі РТ-22 (Крим, Украіна) та у складі радіометричного комплексу технологічного Університету (Гетеборг, Швеція). Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01 + Шифр НБУВ: РА350461
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Челюбеєв В.М. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / В.М. Челюбеєв ; Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — К., 2002. — 18 с.: рис. — укp.Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01 + Шифр НБУВ: РА321743
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Наумов ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2010. — 17 с. — укp.Експериментально досліджено фізичні явища, які виникають за умов сильних магнітних та електричних полів за кріогенних і кімнатних температур, з метою з'ясування особливостей переносу та рекомбінації носіїв заряду в таких гетероструктурах (ГС). Проведено теоретичне числове моделювання характеристик досліджуваних ГС для аналізу й інтерпретації експериментальних даних. З'ясовано причини бістабільності тунельного струму, пов'язані з нагромадженням носіїв заряду на інтерфейсних і дислокаційних станах. Запропоновано шляхи покращання характеристик ГС. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + З852.2-01 Шифр НБУВ: РА373298 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|