Вперше визначено аналітичні залежності між комплексними НВЧ-параметрами та рівнями і фазами сигналу в контрольних точках системи, що дає можливість автоматизувати процес контролю. З метою забезпечення необхідної точності автоматизованого контролю отримано математичні залежності для визначення внеску похибок калібрувальних елементів і вимірювальних пристроїв у висхідні похибки контрольованих параметрів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розглянуто у міліметровому діапазоні хвиль інтегральну p-i-n-структуру як розмірну систему. Доведено, що у випадку взаємодії p-i-n-діода з потужними надвисокочастотними (НВЧ) полями, матеріальне рівняння даної системи випливає з нелінійного рівняння амбіполярної дифузії. Визначено, що нелінійна компонента рівняння амбіполярної дифузії характеризує продетектований у неоднорідній активній області діода струм. Запропоновано аналітичні співвідношення для розрахунку значення електричної компоненти НВЧ поля (критичне значення поля), у разі якого починають домінувати нелінійні ефекти. Встановлено характер залежностей критичного значення поля від таких параметрів, як частота поля, ширина i-області p-i-n-структури, усередненого часу розсіювання імпульсу електронів і дірок, струму прямого зміщення. Побудовано математичну модель проходження НВЧ хвиль через інтегральну p-i-n-структуру стрічкового типу, яку використано для вирішення проблеми узгодження p-i-n-діода із одно- та багатомодовою лініями передач міліметрового діапазону.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено процес перетворення частоти на сучасних високолегованих діодах з бар'єром Шотткі (ДБШ) та створено на їх базі приймальні системи триміліметрового діапазону з рекордною чутливістю. Визначено оптимальний для даного діапазону тип ДБШ, обчислено його мінімальне досяжні втрати перетворення й умови їх ралізації у змішувачі. На підставі одержаних результатів створено вискочутливі приймальні системи триміліметрового діапазону, які використовуються на радіотелескопі РТ-22 (Крим, Украіна) та у складі радіометричного комплексу технологічного Університету (Гетеборг, Швеція).

  Скачати повний текст

Виявлено низку особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у межах теорії квантово-розмірних ефектів. Зазначено, що підставі використання монокристалічного телуриду кадмію з широким спектром зміни його параметрів для створення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) і анізотипних гетеропереходів (ГП) у сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень та спектральний склад освітлення) виділено з великого числа механізмів формування темнових і світлових характеристик діодів необхідний та детально його досліджено. Встановлено, що модифікація поверхні підкладинок n-CdTe призводить до підвищення у 1,5 - 3 рази висоти потенціального бар'єра ПБД і адекватного збільшення напруги холостого ходу. Виявлено, що спекр фоточутливості охоплює діапазон 1,3 - 5,0 еВ, а його межі визначаються типом діодної структури.

  Скачати повний текст

Досліджено формотворчі процеси на межі поділу метал/карбід кремнію під впливом активних видів обробки.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів.

  Скачати повний текст

Досліджено закономірності впливу на люмінесцентні характеристики та мікроструктурні перетворення процесів, обумовлених низькотемпературним легуванням, і рядом інших низькоенергетичних зовнішніх впливів у дисперсійних двох компонентних матеріалах. Розглянуто процеси впровадження Ga у ZnS, а також вплив зовнішніх факторів, що призводять до зміни величини вільної енергії компонент, на ефективність низькотемпературного легування порошкоподібного ZnS галієм. Показано, що першочергове введення домішок Іn або Ga викликає перекриття придислокаційного каналу дифузії міді. Встановлено, що Mn дифундує у порошкоподібному ZnS за Т=300 К. Встановлено механізми його дифузії та динаміку перетворення випромінювальних центрів, обумовлених Мn.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за умов дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.

  Скачати повний текст

Розглянуто питання удосконалення характеристик оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі запропонованих науково-технічних рішень, розроблено нові типи інжекційних фотодіодів (ІФД). Удосконалено метод підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації внутрішнього інжекційного підсилення. Розроблено критерії оцінки фотоелектричного інжекційного підсилення в області "домішкового" та "власного" поглинання випромінювання. Одержано аналітичні вирази для розрахунку характеристик на основі неоднорідно-легованих та варизонних напівпровідників. З'ясовано, що використання базових матеріалів з неоднорідною структурою сприяє значному підвищенню фоточутливості ІФД. Досліджено умови та механізми реалізації фотоелектричного інжекційного підсилення у поверхнево-бар'єрних структурах (ПБС) за досягнення досить високого рівня інжекції з контакту метал-напівпровідник. Одержано та досліджено інжекційні фотодіоди на основі Ni-Si:Au-ПБС.

  Скачати повний текст

Досліджено характеристики пристроїв НВЧ залежно від структури контактів діодних активних елементів і встановлено вимоги до них, що підвищують робочу частоту. Методом моделювання структури контактів обгрунтовано можливості підвищення ефективності НВЧ приладів, генерації електромагнітних коливань у діапазоні 100 - 1 000 ГГц й обгрунтовано шляхи створення нових типів НВЧ пристроїв. Запропоновано апроксимації імпедансних характеристик ДГ і ЛПД, в яких враховано розходження у виборі структури кристала та режиму роботи для генераторних і підсилювальних діодів, а також необхідність зміни структури кристалів у разі збільшення частоти. Розроблено схему синтезатора-генератора сітки частот на базі кварцового генератора та двох генераторів Ганна: опорного високостабілізованого та широкосмугового, що перестроюється керуючим сигналом.

  Скачати повний текст

Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено запропоновані методи та структури відповідних двотактних схем. Наведено аналітичні вирази для статичної передатної характеристики та відповідних похибок лінійності. Одержано співвідношення для визначення динамічних характеристик базових схем двотактних підсилювачів постійного струму. Проведено порівняльне схемотехнічне моделювання відомих і запропонованих схем і показано, що двотактні симетричні ППС мають кращі статичні та динамічні характеристики у порівнянні з аналогами. Доведено, що застосування аналогових вузлів, побудованих на базі двотактних підсилювачів постійного струму, дозволяє суттєво покращити інтегральну лінійність перетворювачів форми інформації.

  Скачати повний текст

Досліджено закономірності зміни активних і реактивних параметрів детекторів під впливом оптичного випромінювання, модульованого мікрохвильовими коливаннями. Удосконалено метод детектування цього випромінювання, який передбачає використання модуляції ємності фотодіода під впливом оптичного випромінювання, що дозволяє значною мірою підвищити частоту модуляції оптичного випромінювання та чутливість детекторів за умов роботи на мікрохвильових частотах. Розроблено модель детектора оптичного випромінювання, модульованого мікрохвильовими коливаннями, що базується на використанні модуляції ємності фотодіода під впливом такого випромінювання. Розроблено схеми оптичних детекторів для лазерних сенсорних систем і оптико-електронних перетворювачів оптичного випромінювання модульованого мікрохвильовими коливанням, що базуються на використанні модуляції ємності фотодіода під впливом оптичного випромінювання модульованого мікрохвильовими коливаннями, що дозволяє підвищити їх робочу частоту на 10 - 50 %.

  Скачати повний текст

Уперше розроблено тривимірну математичну модель магнетронної гармати з холодним вторинно-емісійним катодом, яка дає змогу досліджувати динаміку електронного потоку за його генерації, формування та транспортування у нестаціонарному режимі. Вивчено рух електронів у нестаціонарному електричному полі магнетронної гармати у двовимірному кінематичному наближенні з урахуванням впливу початкових швидкостей. Уперше одержано залежності енергії бомбардування катоду від початкової енергії первинних електронів та крутизни фронту наростання та спаду імпульсу анодної напруги. З використанням цих залежностей показано можливість вторинно-емісійного розмноження на спаді керувального імпульсу анодної напруги у магнетронній гарматі з холодним вторинно-емісійним катодом. Здійснено детальне комплексне дослідження механізму генерації, формування та транспортування електронного потоку в магнетронній гарматі з цим катодом за імпульсного способу ініціювання емісії. Одержано просторовий і часовий розподіл диференційних параметрів електронного потоку (координат і швидкостей), а також інтегральних параметрів (струму колектора, об'ємної щільності просторового заряду, розподілу частинок за енергіями бомбардування катода) у магнетронній гарматі з холодним вторинно-емісійним катодом.

  Скачати повний текст

Розроблено методику та зроблено оцінку міжбалістичного транспорту вільних носіїв у приладах з арсеніду галію залежно від режиму роботи та параметрів напівпровідникових структур (НПС). Запропоновано математичну модель для опису у кінетичному наближенні процесів, що відбуваються у НПС, яка враховує найбільш імовірні процеси розсіяння електронів у кристалі напівпровідника. Наведено модель і створено пакет програм для комплексного числового моделювання уніполярних напівпровідникових приладів планарної архітектури з затвором Шотткі. Проведено апробацію моделі, показано адекватність опису процесів, що відбуваються у приладах субмікронних розмірів. За допомогою даної моделі проведено цикл експериментів, що досліджують динамічні характеристики GaAs і вплив різних режимних і конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шотткі.

  Скачати повний текст