Пошуковий запит: (<.>U=З843.3-06$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
|
| | |
|
1. |
Окрепка Г.М. Взаємодія монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe з травильними композиціями HNO3-HBr-розчинник: автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Г.М. Окрепка ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2009. — 20 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.235-27 + З843.3-060.1/8 + Шифр НБУВ: РА367051
Рубрики:
|
|
| | |
|
2. |
Лукіянчук Взаємодія CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs та InAs з водними розчинами H2O2- мінеральна кислота-розчинник: автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / Едуард Михайлович Лукіянчук ; НАН України; Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2007. — 20 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-27 + З843.3-06 Шифр НБУВ: РА353000
Рубрики:
|
|
| | |
|
3. |
Стахіра П.Й. Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / П.Й. Стахіра ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 2005. — 30 с. — укp.Розроблено нові фізичні та технологічні підходи до створення приладів мікроелектроніки. Створено фізико-технологічні засади одержання гетероструктур на основі p-InSe-поліфенілацетилену, p-InSe-поліаніліну, а також композита на основі мікродиспергованого InSe у спряженому полімері, досліджено їх електрохімічні та фотоелектричні властивості. Розроблено фізично-технологічні засади створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікацію поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснено на базі розробленої технології формування оксидного шару на цій поверхні з застосуванням лазерного окиснення та методу іонного розпилення у схрещених електричному та магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06 + Шифр НБУВ: РА341229
Рубрики:
|