На підставі енергетичних залежностей збудження спектральних ліній іона індію виявлено чіткі структурні особливості як щодо порогів збудження, так і за потенціалом іонізації, які обумовлені безпосереднім або через каскадні переходи впливом резонансних процесів, якими є утворення автоіонізаційних станів (АІС) за рахунок захоплення налітаючого електрона іоном з подальшим їх розпадом в радіаційному й електронному каналах. Встановлено, що структурні особливості до порогів електронного збудження досліджуваних спектральних ліній обумовлені процесом діелектронної рекомбінації та є діелектронними сателітами цих ліній. Показано, що через енергетичну неоднорідність електронів у пучку, енергетичні залежності електронного збудження діелектронних сателітів та спектральних ліній накладаються одна на одну, що призводить до спотворення останніх на межі збудження. Виявлено велику ймовірність існування радіаційного каналу розпаду АІС за рахунок їх сильного конфігураційного змішування, що призводить до перерозподілу йомовірностей між електронним та радіаційним каналами розпаду, особливо поблизу порогів збудження.

  Скачати повний текст

Досліджено процеси іонного розпилення твердих тіл у широкому інтервалі енергій первинних іонів методом мас-спектрометрії вторинних нейтральних частинок. Із цією метою створено установку для мас-спектрометричного аналізу розпилених нейтралей, що дозволяє працювати у діапазоні енергій первинних іонів до 170 кеВ, та розроблено відповідні методики досліджень. Запропоновано методику обчислення коефіцієнта трансмісії іонно-оптичної системи монопольного мас-аналізатора з енергофільтром як функції енергії іонів. Методом комп'ютерного моделювання траєкторій електронів та іонів у системі аналізу розпилених частинок визначено оптимальні потенціали іонно-оптичних елементів системи, що забезпечують максимальну чутливість установки, для кожного із трьох режимів роботи. Проведено дослідження емісії нейтральних кластерів міді, а також процесу переважного розпилення ізотопів молібдену під час бомбардування поверхні іонами аргону в діапазоні енергій від 30 до 170 кеВ.

  Скачати повний текст