Розкрито механізм впливу ступеня заповнення зони провідності на електрон-деформаційний потенціал зарядженої крайової дислокації та на енергію дна зони провідності в околі дислокації. Розраховано ізолінії концентрації електронів навколо крайової дислокації та поверхні електронної густини вздовж стінки дислокацій невідповідності за різних ступенів заповнення зони провідності. Для різного ступеня заповнення зазначеної зони одержано аналітичний вираз енергетичного спектра електрона, локалізованого на крайовій дислокації, та розв'язки рівняння для визначення закону дисперсії носіїв дислокаційної зони. Показано, що у напівпровідниках у крайовій незарядженій дислокації відбувається діодний ефект, спричинений локальним просторовим перерозподілом електронів.

  Скачати повний текст