Досліджено електрофізичні властивості (термічний коефіцієнт опору (ТКО) та коефіцієнт поздовжньої тензочутливості (КТ)) одно-, дво- і тришарових плівкових систем на основі Cr, Cu і Sc (Co). Описано напівкласичні моделі ТКО і КТ для двошарових плівок, напівфеноменологічні моделі для багатошарових плівкових систем, які враховують температурну та деформаційну залежність середньої довжини вільного пробігу електронів, коефіцієнтів дзеркальності, проходження меж зерен і поділу шарів. Проаналізовано внесок об'ємного, поверхневого та зерномежового розсіювання у величину ТКО та температурну залежність КТ.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Одержано точний розв'язок векторної задачі дифракції похило падаючої еліптично поляризованої хвилі на гратках, які лежать на шаруватому середовищі з магнітоелектричних і кіральних шарів, яке може бути екранованим. Відзначено, що шарувате середовище може мати втрати. Використання процедури аналітичної регуляризації дає змогу проводити надійне та ефективне обчислювальне дослідження в резонансній області. Показано можливість повного перетворення падаючої лінійно поляризованої хвилі в дзеркально відбиту хвилю з крос поляризацією або крос поляризовану хвилю, яка пройшла за умов нормального та похилого падіння. Знайдено режим значного автоколімаційного відбиття та ефект квазіповного недзеркального відбиття з високим коефіцієнтом телескопічності, за яких падаюча лінійно поляризована хвиля практично цілком перетворюється у відбиту першу гармоніку з крос поляризацією.

  Скачати повний текст

Досліджено можливості застосування модифікованого статистичного методу для розрахунків електронних властивостей металоксидних кристалів. Продемонстровано його ефективність на прикладі розрахунків багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку та великим числом атомів в елементарній комірці. У межах модифікованого статистичного методу одержано прийнятний кількісний опис тензора градієнта електричного поля за умов стиску та у разі зміни стехіометрії системи. Виявлено зміну знака похідної квадрупольної константи за тиском під час переходу від орторомбічної структури до тетрагональної, на підставі якої пояснено істотний вплив нестійкості гратки La-SR оксидів на електричні надтонкі взаємодії. Вивчено можливість зміни валентності рідкісноземельних іонів під впливом надвисокого тиску у разі незмінності кристалічної структури сполук. З урахуванням принципу електронейтральності Полінга проаналізовано припущення про можливість використання динаміки зміни величини середнього заряду іона як міри нестійкості системи. У даному контексті розглянуто структурний фазовий перехід, ініційований високим тиском, у кристалі EuO. Виявлено, що результати розрахунків добре корелюються з експериментальними даними.

  Скачати повний текст

Показано, що електрофізичні властивості ВМ (електро- та магнітоопір) на всіх стадіях формування кристалічної структури від аморфного до монокристалічного графіту можна пояснити в рамках тривимірної моделі електронної структури з урахуванням квантових ефектів слабкої локалізації та електрон-електронної взаємодії.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вперше встановлено закономірності формування дифракційних картин кристалами металофулеренових клатратів. Показано, що наявність домішки в порожнинах кристалічної гратки фулерита призводить до істотного перерозподілу інтенсивностей рентгенівських ліній, величина співвідношення яких визначається значенням параметра гратки, типом сформованої структури фулериду та коефіцієнтом заповнення порожнин кристала атомами металу. Вивчено особливості конденсації одно- і двокомпонентів потоків сублімованих молекул фулерену та прискорених іонів вісмуту. Досліджено специфіку формування дифракційних картин кристалами металофуллеренових клатратів, в яких атоми легуючого компонента формують періодичні структури, які задаються системою порожнин у матриці ГЦК гратки фулериту.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Одержано розв'язок системи рівнянь для знаходження рівноважних значень набору параметрів порядку для бінарного сплаву з найпростішим типом гратки в області температур, нижчих за температуру фазового переходу порядок-безлад.

  Скачати повний текст

Здійснено теоретичне дослідження просторово неоднорідних надпровідних структур в області температур, близьких до критичної. Для знаходження невідомої сталої у розв'язку рівняння Гінзбурга - Ландау запропоновано метод, що має назву методу квазіортогональності до асимптотики. Проаналізовано вплив струму на просторову зміну параметра впорядкування. Враховуючи дію струму як розпарувального чинника, досліджено рівноважні струмові стани у надпровідних контактах типів: SNS за товщини нормального прошарку порядку довжини когерентності, SIS у широкому інтервалі значень коефіцієнта проходження електронів крізь плівку діелектрика та за наявності немагнітних домішок, SNINS за довільної товщини нормального прошарку та прозорості діелектрика. Установлено, що зменшення товщини цього прошарку або збільшення коефіцієнта проходження електронів крізь плівку діелектрика призводить до ускладнення залежності струму від різниці фаз між контактуючими поверхнями.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Проведено експериментальні дослідження структури та електрофізичних властивостей наноструктурних систем: багатошарових композиційних матеріалів типу метал-метал, композиційних матеріалів з діелектричної полімерної матриці та електропровідного нанокристалічного наповнювача й композиційних газотермічних покриттів. Визначено вплив способу одержання, складу, ступеня деформації та режимів термічної обробки на структуру та електрофізичні властивості досліджуваних об'єктів. Встановлено закономірності змін питомого електроопору та термо-ЕРС за високих (більше ніж 90 %) відносних деформацій холодною прокаткою, у разі нагрівання та після відпалів шаруватих систем, а також вплив розмірних факторів (нанорозмірності) на неадитивність параметрів досліджених властивостей композиційних матеріалів щодо відповідних параметрів компонентів, з яких виготовлені дані матеріали. Для перколяційних композиційних систем типу полімер-нанокристалічний наповнювач запропоновано рівняння для розрахунку критичних параметрів.

  Скачати повний текст