Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В372.13,022$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Федорова О.В. Одновимірне розупорядкування шаруватих структур металоксидних сполук на основі вісмуту: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.В. Федорова ; НАН України. Ін-т проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2004. — 16 с.: рис. — укp.Встановлено закономірності зміни характеристик дифракційної картини, спричинених одновимірними розупорядкуваннями (ОР) структури, на базі яких розроблено метод визначення типу ДП, величини їх концентрації та характеру взаємного розташування у цих кристалах. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В372.13,022 + Шифр НБУВ: РА331349
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Лебединський О.М. Плівки CsI(TI): структура, сцинтиляційні властивості, формування зображень: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.М. Лебединський ; Ін-т монокристалів НАН України. — Х., 2008. — 20 с. — укp.Шляхом вакуумної конденсації одержано шари сцинтилятора CsI(Tl) з відтворюваною морфологією, структурними та сцинтиляційними характеристиками на підкладках різних типів. З використанням методів рентгеноструктурного аналізу та растрової електронної мікроскопії установлено закономірності структуроутворення й особливості формування стовпчастої морфології шарів CsI(Tl) за умов вакуумної конденсації. Розроблено й апробовано методику вакуумного напилення даних шарів, що дозволяє забезпечити у зростаючому шарі необхідну концентрацію активатора та його однорідний розподіл в об'ємі шару. За запропонованою методикою математичної обробки спектрів амплітуд імпульсів сцинциляцій одержано кількісні характеристики світлового виходу шарів CsI(Tl), близькі до характеристик кращих кристалів CsI(Tl). Показано можливість формування зображення в gamma-випромінюванні з використанням стовпчастих шарів CsI(Tl). За методом побудови функцій передачі модуляції оцінено просторову роздільну здатність даних шарів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53,022 + В372.13,022 + К663.030.022 + Шифр НБУВ: РА361622
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Звєзда С.С. Рентгеноспектральне дослідження особливостей електронної структури вуглецевих наноматеріалів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / С.С. Звєзда ; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2006. — 18 с. — укp.З використанням методу ультрам'якої рентгенівської емісійної спектроскопії проведено систематичне комплексне дослідження залежності особливостей електронної будови різних видів вуглецевих наноматеріалів від їх розмірів. Проаналізовано особливості енергетичного розподілу валентних електронів у фулеренах та аніонах. На підставі одержаних результатів визначено природу стабілізації молекул фулерена та частинок аніонів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236,022 + В372.13,022 + Г741.4 + Шифр НБУВ: РА344631
Рубрики:
|
| | | | |
4. |
Корчовий А.А. Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / А.А. Корчовий ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2007. — 20 с. — укp.Розроблено експериментальні методи дослідження параметрів багатошарових планарних структур, розраховано основні структурні властивості плівок зі спектрів відбиття X-променів з використанням квазізаборонених рефлексів (КЗР) у бреггівській геометрії дифракції. З застосуванням напівкінематичного наближення теорії розсіювання X-променів для розрахунків кривих дифракційного відбиття (КДВ) показано, що в короткоперіодних надгратках (НГ) зміна співвідношення інтенсивностей сателітів, розташованих з боку менших і більших кутів від нульового сателіта, залежать як від ступеня структурної досконалості (фактора Дебая - Валлера, параметра ближнього порядку), так і від рівня пружної деформації окремих шарів. Встановлено, що даний факт обумовлений нерівноцінними фазовими змінами в структурному множнику кожного з реальних шарів. Виявлено, що для адекватного опису КДВ від багатошарових структур необхідно враховувати якнайбільшу кількість дифракційних параметрів, особливо в короткоперіодних надгратках далеко від кута точного бреггівського положення. Обгрунтовано й апробовано нові експериментальні методи з використанням КЗР для одержання параметрів структур і композиційного розподілу в шарах НГ. Вперше встановлено можливість розділення внесків у відбивну здатність кожного з шарів структури окремо, високу чутливість КЗР до складу твердих розчинів субшарів, а також чутливість сателіта НГ до дефектної структури шарів різних видів. Показано, що в структурах, один з шарів якої утворений елементами, які мало відрізняються атомними номерами, роллю даного шару у формуванні дифракційної картини можна знехтувати, оскільки він впливає лише на зміну фази розсіяння. Експериментально встановлено двохшаровий розподіл індію з різним його вмістом в областях квантових ям багатошарової структури InGaAs/GaAs та з'ясовано роль форми даного розподілу у формуванні КДВ у випадку дифракції Брегга. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В372.13,022 + В379.226,022 + Шифр НБУВ: РА349055
Рубрики:
|
|
|