Встановлено, що фізичні властивості CdTe:Cl визначено перебудовою системи точкових дефектів телуриду кадмію внаслідок легування й існування неоднорідностей, пов'язаних з нерівномірним розподілом легувальної домішки в об'ємі кристалів. Виявлено, що за перевищення критичного рівня легування відбувається утворення збагачених хлором включень і супутніх макродефектів структури, розсіяння на яких є причиною зниження величини оптичного пропускання в області прозорості CdTe. Встановлено, що спектральний хід коефіцієнта поглинання в області довгохвильового краю власного поглинання у сильнолегованих кристалах відтворює хвости густини станів, причиною існування яких є флуктації домішкового потенціалу через локальні неоднорідності в розподілі легувальної домішки. Визначено, що короткотривалий низькотемпературний відпал підвищує однорідність сильнолегованого матеріалу.

  Скачати повний текст

Розроблено методики числового моделювання радіаційно-кондуктивного теплообміну (РКТ) у процесі вирощування оксидних кристалів з розплавів. Для розв'язку задачі Стефана за умов РКТ запропоновано модифіковану схему згладжування розривних коефіцієнтів, що враховує радіаційну складову в балансі енергії на фронті кристалізації. За допомогою одновимірної та двохвимірної моделей проаналізовано вплив радіаційної складової на Т-поля системи кристал - розплав та температурні умови фронту кристалізації. За результатами рішення спеціальної задачі радіаційного теплообміну встановлено можливість керування величиною та характером розподілу радіаційних потоків на фронті кристалізації шляхом екранування напівпрозорого торця кристала, через який відводяться радіаційні потоки. Розроблено числові моделі РКТ для вирощування оксидних кристалів з урахуванням кінетичних процесів (переохолодження) на межі розподілу фаз. Розглянуто два типи моделей: з використанням кінетичної залежності та часової залежності переохолодження. Останню модель використано для вивчення процесів кристалізації з пласкою неізотермічною гранню на фронті. Для оксидних кристалів з напівпрозорою кристалічною та непрозорою розплавленою фазами розроблено методику експериментально-чисельного визначення кінетичної залежності. За допомогою розробленої числової методики проаналізовано фактори, які впливають на похибку експериментального вимірювання переохолодження на фронті. Запропоновано варіанти урахування радіаційно-кондуктивного теплообміну у моделях глобального теплообміну в процесах вирощування частково прозорих матеріалів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено структурні особливості, оптичних і люмінесцентних параметрів, міцнісних характеристик монокристалів боратів острівного, ланцюжкового, шаруватого та каркасного типів. Встановлено системи спайності та переважного розповсюдження трішин. Вивчено природу руйнування та визначено слабкі місця в атомній будові монокристалів боратів різних структурних типів. Визначено системи ковзання в кристалах острівного та каркасного типів, встановлено кристалографічну природу пластичності. Показано, що механізм пластичної деформації за температур, які близькі до плавильних, дислокаційний. Визначено природу радіаційно-індукованих точкових дефектів в монокристалах боратів різних структурних типів. Розроблено моделі стабільних радіаційно-стимульованих електронних і дірочних центрів захоплення, а також моделі активаторних центрів, утворених рідкісноземельними елементами в решітках боратів. Запропоновано механізм створення стійких радіаційно-індукованих френкелівських пар у катіонній підрешітці.

  Скачати повний текст

Комплексно вивчено фізичні властивості вирощених кристалів.Розроблено моделі дефектоутворення, застосування яких сприяло створенню спеціального ростового устаткування та оптимізації технологічних режимів вирощування, що сприяло виходу якісних кристалів.

  Скачати повний текст

Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів HIH GaAs. Розглянуто вплив часу термообробки, а також часу охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією та структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлено вплив стехіометрії на електрофізичні властивості HIH GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Висвітлено перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їх щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p-n структур HIH GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання та структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом рідкофазної епітаксії, з використанням ізовалентного металу -розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

  Скачати повний текст

Досліджено процеси силіцидоутворення, що мають місце у багатошарових періодичних покриттях Sc/Si і Sc/W/Si/W з періодом 20 - 35 нм в інтервалі температур 403 - 1243 К. Реакція аморфізації триває за дифузійною кінетикою, переважним дифузантом є кремній. Дифузія кремнію через шар аморфного скандій-кремнієвого сплаву характеризується низькими значеннями енергії активації (0,6 еВ) та передекспоненціального множника. Доведено, що дифузійні бар'єри з номінальною товщиною вольфраму більше ніж 0,6 нм якісно змінюють кінетику твердофазної аморфізації: після того, як процеси силіцидоутворення в бар'єрних шарах завершуються та їх товщина стабілізується, параболічний закон росту аморфного силіциду ScSi змінюється на лінійний.

  Скачати повний текст

Проаналізовано процеси фазової взаємодії в системі In - Ga - Se - O. З'ясовано особливості процесів окиснення сполук системи. Показано, що в напівпровідниковій системі In - Ga - Se найбільш стійкими під час термообробки на повітрі є півтораселеніди індію та галію.

  Скачати повний текст

Робота присвячена комплексному дослідженню температурних нестабільностей фізичних властивостей (параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності, коефіцієнта Холла, рухливості носіїв заряду) в об'ємних кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe з метою встановлення впливу дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу (СФП), виявлення фазових переходів (ФП), зумовлених взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, а також встановлення специфіки прояву ФП в тонких шарах SnTe і надгратках SnTe/PbTe. У кристалах та тонких плівках SnTe з високою концентрацією катіонних вакансій крім відомого СФП спостерігаються, принаймні, ще два ФП в інтервалах 135 і 150 та 200-215 К, які напевно, пов'язані з процесами перебудови дефектної підсистеми кристалу. Характер прояву цих ФП залежить як від концентрації власних дефектів, так і від кінетичних факторів (швидкості нагріву-охолодження та ін.). Показано, що прояв СФП, властивого SnTe, у надгратках SnTe/PbTe істотно залежить від орієнтації росту шарів. У надгратках SnTe/PbTe з напруженими шарами виявлено надпровідний перехід з критичною температурою 3.4 К. Введення дислокацій невідповідності у міжфазну межу SnTe/PbTe призводить до пригнічення надпровідності.

  Скачати повний текст

<$Eroman {Cu sub 2 Se}> - HgSe - <$Eroman {SnSe sub 2 }> на концентраційний трикутник. Уперше встановлено існування тетрарної сполуки <$Eroman {Cu sub 6 Hg sub 0,92 GeS sub 5,92 }> та області гомогенності для тетрарної сполуки <$Eroman {Cu sub 2 HgGeSe sub 4 }> (область гомогенності за 670 К локалізована за перерізом HgSe - <$Eroman {Cu sub 2 GeSe sub 3 }> у концентраційному інтервалі 33 - 50 мол. % HgSe). Визначено кристалічну структуру тетрарних сполук <$Eroman {Cu sub 2 HgGe(Sn)S(Se) sub 4 }> та <$Eroman {Cu sub 6 Hg sub 0,92 GeS sub 5,92 }>. У германійвмісних системах установлено існування областей склоутворення та визначено параметри склоподібних сплавів (енергію оптичної іонізації та характеристичні температури).

  Скачати повний текст