Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено процеси впровадження водню в шаруваті кристали, його стан і локалізацію в кристалічній гратці в залежності від кількості впровадженого водню. Встановлено та пояснено концентраційні залежності положення основного екситонного максимуму та напівширини екситонної смуги поглинання водневих, барієвих та йодних інтеркалатів InSe та GaSe. Експериментально показано можливість використання кристалів InSe та GaSe в якості матеріалів для зберігання водню та встановлено концентраційну залежність оборотності впровадження водню у відсотках. Розроблено методику одержання нанорозмірних шаруватих кристалів InSe та GaSe ультразвуковим диспергуванням. Визначено залежність розмірів одержаних наночасток від природи диспергуючого середовища.

  Скачати повний текст

Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Комплексно досліджено вплив амфотерної домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук - перспективних матеріалів функціональної електроніки.

  Скачати повний текст

Досліджено фізичні властивості домішкових і дефектних центрів у 6H, 4H та 3C SiC методами високочастоного/високопольового (ВЧ/ВП) електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) і подвійного електронного ядерного резонансу (ПЕЯР). На основі вивчення ВЧ/ВП спектрів ЕПР і ПЕЯР донорів азоту, їх температурних закономірностей і концентраційної поведінки визначено електронну структуру, енергетичні характеристики та тип вузла, який заміщує донори азоту в 6H та 4H-SiC. Проаналізовано низькотемпературний стрибковий механізм делокалізації електронів в 4H та 6H SiC, сильно легованих азотом. Досліджено дві групи спектрів ЕПР і ПЕЯР фосфору в 6H SiC, що відрізняються величиною та характером надтонкої взаємодії (НТВ). Обгрунтовано модель центрів фосфору та їх енергетичні характеристики. Вивчено спектри ЕПР бору на частоті 140 ГГц у 6H, 4H та 3C SiC від 4.2 до 100 К. Виявлено відмінність у механізмі дефектоутворення в 6H та 4H-SiC з порушеним стехіометричним складом. Досліджено рекомбінаційні процеси, які відбуваються у напівізолюючому матеріалі 4H-SiC під час фотозбудження. Встановлено, що дефектом, який відповідає за час життя неосновних носіїв заряду в напівізолюючому 4H SiC є вакансія кремнію в зарядовому стані 3- донорного характеру.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіда кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вивчено процеси дефектно-домішкової взаємодії, які відбуваються у кремнії, легованому оловом та вуглецем, за дії іонізувального опромінення та подальших термообробок. Установлено, що домішкові атоми Sn в опроміненому кремнії за відпалу ефективно взаємодіють з міжвузловинним вуглецем з утворенням центрів "міжвузловинний вуглець + олово". Експериметнально показано, що центри можуть існувати за двох структурних конфігурацій з різною термічною стабільністю. Оцінено ефективність взаємодії міжвузловинного вуглецю з оловом. Змодельовано енергетичну структуру виявленого дефекту. Установлено, що олово значною мірою впливає на дифузію центрів "вакансія + кисень" у кремнії. Дифундуючи за відпалу, центри "вакансія + кисень" ефективно взаємодіють з домішковими атомами Sn з утворенням нових дефектів "олово + вакансія + кисень". Для виявлених центрів визначено енергію активації відпалу. Показано, що у кремнії n-типу легування оловом призводить до зниження радіаційної стійкості, а у кремнії p-типу наявність олова може призводити до її зростання. Визначено діапазон доз опромінення та концентрації мілких акцепторів, за яких Si:Sn p-типу є більш радіаційно стійким, ніж Si.

  Скачати повний текст

Досліджено процеси дефектоутворення у плівках CdTe шляхом порівняння результатів моделювання з даними комплексного вивчення структурних та електрофізичних характеристик моно- та полікристалічних шарів матеріалу, одержаних методом квазізамкненого об'єму (КЗО) за умов, наближених до термодинамічно рівноважних. Розроблено та реалізовано універсальний підхід до опису процесів дефектоутворення у телуриді кадмію, в якому враховано найбільш повний спектр точкових дефектів матеріалу. З використанням даного підходу та результатів розрахунків термодинамічних параметрів дефектоутворення "ab initio", проведено моделювання ансамблю власних дефектів у плівках CdTe для випадків повної рівноваги та гартування залежно від фізико-технологічних умов їх вирощування. Під час моделювання враховано процеси перенесення в'язкої пари компонентів з'єдання від випарника до підкладки, що відбуваються у разі конденсації у КЗО. Розрахунки проведено для різних наборів енергій іонізації власних дефектів з використанням результатів експериментального вивчення параметрів локалізованих станів (ЛС) у плівках методом аналізу ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом і залежностей провідність - температура. На відміну від традиційного підходу оптимізацію параметрів дефектоутворення проведено шляхом порівняння результатів моделювання електричними (концентрація носіїв і ЛС дефектів, провідність, положення рівня Фермі) та зі структурними (стехіометрія, період гратки, рентгенівська густина) характеристиками плівок.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe:V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами.

  Скачати повний текст

Встановлено закономірності комбінованого впливу типу та параметрів поляризованої світлової хвилі, що задовольняє умови домішкового поглинання, величини напруженості гріючого носія заряду електричного поля, а також процесів довготривалої спінової релаксації у зоні провідності та на домішковому рівні на ступінь спінової поляризації зонних електронів у напівпровідниках з домішковим рівнем, що створено елементом з незаповненою 3d- або 4f-оболонкою.

  Скачати повний текст